[发明专利]非磁性材料分散型Fe-Pt系溅射靶

权利要求书

1.一种溅射靶，其是含有Fe、Pt以及Ge的非磁性材料分散型的溅射靶，具有Fe、Pt以及Ge以原子数比计满足(Fe_1-αPt_α)_1-βGe_β表示的组成的磁性相，在研磨相对于溅射靶的溅射面垂直的断面后的研磨面的EPMA的元素分布图中，该磁性相的Ge的浓度为30质量％以上的Ge基合金相的面积比率S_{Ge30质量％}的平均值，与根据溅射靶的所有组成计算的Ge的面积比率S_Ge之比S_{Ge30质量％}/S_Ge为0.5以下，所述α、β是满足0.35≤α≤0.55、0.05≤β≤0.2的数。

2.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，非磁性材料是从碳、碳化物、氧化物以及氮化物构成的群组中选择的一种或二种以上，相对于溅射靶的总体积，该非磁性材料的体积比率占10～60vol％。

3.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，用第三元素的原子总数与Fe、Ge以及Pt的总原子数之比表示，含有10at.％以下的从Au、B、Co、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或二种以上的第三元素。

4.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，氧浓度为400质量ppm以下。

5.一种如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶的制造方法，包括：

在惰性气体气氛下粉碎并混合Pt-Ge合金粉和/或Pt-Ge-Fe合金粉、Pt-Ge合金粉以及Pt-Ge-Fe合金粉以外的金属粉、非磁性材料粉，以使Fe、Pt以及Ge以原子数比计满足(Fe_1-αPt_α)_1-βGe_β表示的组成的步骤，

通过加压烧结方法在真空气氛或惰性气体气氛下，在小于所述Pt-Ge合金粉的熔点的温度下，对上述步骤得到的混合粉末进行烧结，得到烧结体的步骤，

对所述烧结体进行成形加工的步骤，

所述α、β是满足0.35≤α≤0.55、0.05≤β≤0.2的数。

6.如权利要求5所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，在所述混合步骤之前，所述Pt-Ge合金粉和/或Pt-Ge-Fe合金粉的平均粒径为1～50μm。

7.如权利要求5或6所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，在使用Pt-Ge合金粉的情况下，在所述混合步骤之前，所述Pt-Ge合金粉的组成以原子比计为Pt：Ge＝1：0.8～1.2。

8.如权利要求5或6所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，在使用Pt-Ge-Fe合金粉的情况下，在所述混合步骤之前，所述Pt-Ge-Fe合金粉的组成以原子比计为Pt：Ge：Fe＝1：0.8～1.2：0.1～0.3。

9.如权利要求5或6所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，包括在烧结时以20～70MPa的范围的压力进行加压的步骤。

10.如权利要求5或6所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，通过所述粉碎并混合的步骤得到的混合粉末的平均粒径为20μm以下。