[发明专利]光电转换装置

说明书

提供一种光电转换装置，在光电转换装置中减少光电二极管的截止泄漏电流。光电转换装置(100)具备：氧化物半导体层(5)，其形成在基板(1)上；钝化膜(6)以及平坦化膜(7)，其层叠于氧化物半导体层上；光电二极管(9)，其由下部电极(91)、光电转换层(92)、上部电极(93)构成，经由钝化膜以及平坦化膜所形成的接触孔(21)，下部电极连接于漏极电极(4)，接触孔的正上方未设置有光电转换层。

技术领域

本发明是关于光电转换装置。

背景技术

以往，作为X线传感器或光传感器，利用光电转换装置。专利文献1揭示了光电转换装置的一例。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本国公开专利公报“特开2010-67762号公报(2010年3月25日公开)”

发明内容

发明要解决的问题

图7示出现有技术所涉及的光电转换装置的一例的剖视图。如图7所示，光电转换装置110中，在作为PIN二极管的光电二极管9的正下方贯穿设有接触孔，所述接触孔用于连接氧化物半导体层5(薄膜晶体管)的源极电极4、和光电二极管9的下部电极91。具有如上所述的结构的光电转换装置中，会有光电二极管9的截止泄漏电流变大的问题。

利用图8、9说明其原因。图8示出现有技术所涉及的光电二极管的一例的放大剖视图。图9示出现有技术所涉及的光电二极管的特性例的图表。如图8所示，在下部电极91的倾斜部中，光电转换层92的膜厚与下部电极91的平坦部相比较小，另外，在光电转换层92中、容易发生n+层921的切断，进一步，在i层922中发生裂纹(裂缝)。其结果，由针对光电二极管9的反向偏置电压而引起的电流变大，如图9所示，导致光电二极管9的截止泄漏电流变大。

本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于，在光电转换装置中减少光电二极管的截止泄漏电流。

用于解决技术问题的技术方案

为了解决上述的问题，本发明的一个方面所涉及的光电转换装置具备：薄膜晶体管，其形成在基板上；第一绝缘层，其层叠于所述薄膜晶体管上；光电二极管，其在上部电极和下部电极之间设置有光电转换层，经由所述第一绝缘层所形成的第一接触孔，所述光电二极管的下部电极连接于所述薄膜晶体管的漏极电极，所述第一接触孔的正上方未设置有所述光电转换层。

有益效果

根据本发明的一个方面，起到在光电转换装置中能够减少光电二极管的截止泄漏电流的效果。

附图说明

图1示出本发明的第一实施方式所涉及的光电转换装置所利用的阵列基板构成平面图。

图2是图1的A-A’剖视图。

图3是图2的放大图。

图4是示出本发明的第一实施方式所涉及的光电二极管的特性例的图表。

图5示出本发明的第二实施方式所涉及的光电转换装置所利用的阵列基板构成的平面图。

图6示出本发明的第三实施方式所涉及的光电转换装置所利用的阵列基板的构成的平面图。

图7示出现有技术所涉及的光电转换装置的一例的剖视图。

图8是图7的放大图。

图9示出现有技术所涉及的光电二极管的特性例的图表。