[发明专利]堆叠裸片接地屏蔽

说明书

本发明涉及半导体装置。本发明教示的实施例可包含用于制造半导体装置的工艺及装置本身。例如，一些实施例可包含集成电路封装，其包括：引线框；第一裸片，其以覆晶方式安装在所述引线框上，所述第一裸片的前侧连接到所述引线框；其中所述第一裸片包括沉积在所述第一裸片的背侧上的氧化物层及沉积在所述氧化物层上的背面金属层；及第二裸片，其安装在所述第一裸片的所述背面金属层上。

相关专利申请案

本申请案要求2016年3月29日申请的第62/314,875号美国临时专利申请案的优先权，所述美国临时专利申请案为了所有目的特此以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及半导体装置。本发明教示的实施例可包含用于制造半导体装置的工艺及装置本身。

背景技术

离散功率晶体管或分离裸片上的功率晶体管可布置在包括一个以上芯片的单个集成装置内。用于将多个芯片布置在单个装置中的一种常见方法包含将芯片或裸片彼此相互堆叠。在一些装置中，第一芯片可包含功率晶体管，而其它芯片可包含微控制器。在此堆叠布置中使用的控制器或任何其它装置可对其它芯片产生的噪声敏感。

发明内容

根据各种实施例，在晶片的背面上沉积氧化物层及金属层可建立电压屏蔽以使控制器裸片免受噪声影响。经隔离电压屏蔽可接合到建立免受噪声影响的屏蔽的固定电压。例如，一些实施例可包含集成电路封装，其包括：引线框；第一裸片，其以覆晶方式安装在所述引线框上，所述第一裸片的前侧连接到所述引线框；其中所述第一裸片包括沉积在所述第一裸片的背侧上的氧化物层及沉积在所述氧化物层上的背面金属层；及第二裸片，其安装在所述第一裸片的所述背面金属层上。

在一些实施例中，所述第二裸片是用粘合剂安装在所述背面金属层上。

在一些实施例中，所述第二裸片是用非导电环氧树脂安装在所述背面金属层上。

一些实施例可包含将所述第一裸片连接到所述引线框的凸块。

在一些实施例中，所述背面金属层可线接合到所述引线框的指状物。

在一些实施例中，所述第一裸片包括功率半导体。

在一些实施例中，所述第二裸片包括控制器。

在一些实施例中，所述第二裸片包括对噪声敏感的电路。

在一些实施例中，所述第一裸片包括功率半导体；且所述第二裸片包括控制器。

一些实施例可包含电路，所述电路包括：引线框；第一裸片，其以覆晶方式安装在所述引线框上，所述第一裸片的前面连接到所述引线框；其中所述第一裸片包括沉积在所述第一裸片的背面上的氧化物层及沉积在所述氧化物层上的背面金属层；第二裸片，其安装在所述第一裸片的所述背面金属层上；所述背面金属层线接合到所述引线框的指状物；及电压源，其通过所述指状物提供馈送到所述背面金属层的屏蔽电压。

一些实施例可包含一种用于制造半导体装置的方法，其包括：制造包括至少一个半导体装置的第一半导体裸片；将氧化物层沉积在所述裸片的背侧上；及将背面金属层沉积在所述氧化物层的顶部上。

一些实施例可包含将所述第一裸片以覆晶方式安装在引线框上；使用粘合剂将第二裸片安装在所述第一裸片的顶部上；将所述背面金属层与多个引线框指状物中的一者线接合；及将所述第二裸片与所述多个引线框指状物中的一不同者线接合。

一些实施例可包含囊封所述半导体装置。