[发明专利]形成抗蚀剂图案的方法有效

专利信息
申请号: 201780004501.9 申请日: 2017-01-20
公开(公告)号: CN108369378B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 星野学 申请(专利权)人: 日本瑞翁株式会社
主分类号: G03F7/039 分类号: G03F7/039;G03F7/20;G03F7/32;H01L21/027
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 赵曦;刘继富
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 形成 抗蚀剂 图案 方法
【权利要求书】:

1.一种形成抗蚀剂图案的方法,包含以下工序:

使用正性抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜的工序;

对所述抗蚀剂膜进行曝光的工序;以及

对所述曝光了的抗蚀剂膜进行显影的工序,

使用表面张力为17mN/m以下的显影液而进行所述显影,所述显影液包含氟系溶剂,

所述正性抗蚀剂组合物包含聚合物和溶剂,所述聚合物具有下述通式(I)所示的单体单元A和下述通式(II)所示的单体单元B,所述单体单元A和所述单体单元B的至少一者具有一个以上氟原子,

式(I)中,R1为氯原子、氟原子或被氟原子取代的烷基,R2为非取代的烷基或被氟原子取代的烷基,R3和R4为氢原子、氟原子、非取代的烷基或被氟原子取代的烷基,可以彼此相同也可以不同,

式(II)中,R5、R6、R8及R9为氢原子、氟原子、非取代的烷基或被氟原子取代的烷基,可以彼此相同也可以不同,R7为氢原子、非取代的烷基或被氟原子取代的烷基,p和q为0以上且5以下的整数,p+q=5,

所述聚合物的重均分子量为22000以上且110000以下。

2.根据权利要求1所述的形成抗蚀剂图案的方法,其中,

所述显影液为CF3CFHCFHCF2CF3

3.根据权利要求1或2所述的形成抗蚀剂图案的方法,其中,

所述R1为氯原子。

4.根据权利要求3所述的形成抗蚀剂图案的方法,其中,

所述R2为被氟原子取代的烷基,

所述R3和R4为氢原子或非取代的烷基。

5.根据权利要求1或2所述的形成抗蚀剂图案的方法,其中,

所述R5~R9为氢原子或非取代的烷基,所述单体单元A具有一个以上氟原子。

6.根据权利要求1或2所述的形成抗蚀剂图案的方法,其中,

显影时间为3分钟以上且5分钟以下。

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