[发明专利]使用牺牲多晶硅柱形成的单片三维存储器阵列

权利要求书

1.一种形成单片三维存储器阵列的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成第一垂直取向的多晶硅柱，所述第一垂直取向的多晶硅柱由介电材料围绕；

将所述第一垂直取向的多晶硅柱移除以在所述介电材料中形成第一空隙；以及

用导电材料填充所述第一空隙以形成第一通孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一垂直取向的多晶硅柱包括第一区域、第二区域和第三区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一区域包括n+多晶硅、所述第二区域包括p+多晶硅，并且所述第三区域包括n+多晶硅。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一区域包括p+多晶硅、所述第二区域包括n+多晶硅，并且所述第三区域包括p+多晶硅。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：

在所述衬底上方形成第二垂直取向的多晶硅柱，所述第二垂直取向的多晶硅柱由所述介电材料围绕；

将所述第二垂直取向的多晶硅柱移除以在所述介电材料中形成第二空隙；以及

用所述导电材料填充所述第二空隙以形成第二通孔。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二垂直取向的多晶硅柱包括第一区域、第二区域和第三区域。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一区域包括n+多晶硅、所述第二区域包括p+多晶硅，并且所述第三区域包括n+多晶硅。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一区域包括p+多晶硅、所述第二区域包括n+多晶硅，并且所述第三区域包括p+多晶硅。

9.根据权利要求5所述的方法，还包括：

形成包括第一部分和第二部分的行选择线，所述行选择线的第一部分与所述行选择线的第二部分以一距离分离；以及

将所述行选择线的第一部分耦接到所述第一通孔并且将所述行选择线的第二部分耦接到所述第二通孔。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述距离在大约4500埃和大约27000埃之间。

11.一种单片三维存储器阵列，包括：

包括第一部分和第二部分的行选择线，所述行选择线的第一部分与所述行选择线的第二部分以一距离分离；以及

耦接到所述行选择线的第一部分的第一通孔和耦接到所述行选择线的第二部分的第二通孔，

其中所述第一通孔和所述第二通孔通过以下来形成：

在衬底上方形成第一垂直取向的多晶硅柱和第二垂直取向的多晶硅柱，所述第一垂直取向的多晶硅柱和所述第二垂直取向的多晶硅柱中的每一个由介电材料围绕；

将所述第一垂直取向的多晶硅柱移除以在所述介电材料中形成第一空隙；

将所述第二垂直取向的多晶硅柱移除以在所述介电材料中形成第二空隙；以及

用导电材料填充所述第一空隙以形成所述第一通孔并且用所述导电材料填充所述第二空隙以形成所述第二通孔。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一垂直取向的多晶硅柱和所述第二垂直取向的多晶硅柱包括第一区域、第二区域和第三区域。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一区域包括n+多晶硅、所述第二区域包括p+多晶硅，并且所述第三区域包括n+多晶硅。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一区域包括p+多晶硅、所述第二区域包括n+多晶硅，并且所述第三区域包括p+多晶硅。

15.根据权利要求11-14中任一项的所述方法，还包括耦接所述第一通孔和所述第二通孔的导电迹线。