[发明专利]空位调制导电氧化物区域切换单元到VBL架构的实现方式

权利要求书

1.一种制造存储器阵列的一部分的方法，包括：

形成802字线层和电介质层的交替的堆叠体；

蚀刻804存储器孔使其延伸通过字线层和电介质层的所述交替的堆叠体；

在蚀刻所述存储器孔之后，凹陷806所述字线层中的第一字线层的一部分；

在所述第一字线层的凹陷部分的第一区域内沉积808非晶硅层；

在所述第一字线层的凹陷部分的第二区域内沉积810钛氧化物层；以及

在沉积所述非晶硅层和所述钛氧化物层之后，以导电材料填充814所述存储器孔的至少一部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中：

在沉积所述钛氧化物层之前进行所述非晶硅层的沉积。

3.如权利要求1所述的方法，其中：

在沉积所述钛氧化物层之后进行所述非晶硅层的沉积。

4.如权利要求1所述的方法，其中：

所述非晶硅层布置在所述钛氧化物层和所述导电材料之间。

5.如权利要求1所述的方法，其中：

所述钛氧化物层布置在所述非晶硅层和所述导电材料之间。

6.如权利要求1所述的方法，其中：

所述字线包括字线材料；

所述电介质层包括电介质材料；并且

凹陷所述第一字线层的所述部分包括进行蚀刻工艺，所述蚀刻工艺移除所述字线材料而对所述电介质材料是高选择性的。

7.如权利要求1所述的方法，其中：

所述第一字线层的凹陷部分由所述非晶硅层和所述钛氧化物层完全填充；并且

所述非晶硅层和所述钛氧化物层不延伸到所述存储器孔中。

8.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述钛氧化物层和所述非晶硅层之间沉积钛金属层或铝氧化物层中的一个。

9.如权利要求1所述的方法，其中：

所述字线层包括钛氮化物；并且

所述电介质层包括二氧化硅。

10.一种存储器结构，包括：

正交于衬底布置的垂直位线722；

在第一字线和所述垂直位线之间布置的第一存储器单元(720，752)，所述第一存储器单元包括非晶硅层的第一部分和钛氧化物层的第一部分；以及

在第二字线和所述垂直位线之间布置的第二存储器单元(720，752)，所述第二字线布置在所述第一字线上方，所述第二存储器单元包括所述非晶硅层的第二部分和所述钛氧化物层的第二部分，所述非晶硅层的第一部分不直接接触所述非晶硅层的第二部分，所述钛氧化物层的第一部分不直接接触所述钛氧化物层的第二部分。

11.如权利要求10所述的存储器结构，其中：

所述非晶硅层的第一部分布置在所述钛氧化物层的第一部分和所述垂直位线之间。

12.如权利要求10所述的存储器结构，其中：

所述钛氧化物层的第一部分布置在所述非晶硅层的第一部分和所述垂直位线之间。

13.如权利要求10所述的存储器结构，其中：

所述第一字线包括钛氮化物。

14.如权利要求10-13中任一个所述的存储器结构，其中：

所述垂直位线包括钨。

15.如权利要求10-14中任一个所述的存储器结构，其中：

所述垂直位线正交于衬底。