[发明专利]固体接合型光电转换元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201780005226.2 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN108475729A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 藤沼尚洋;安西纯一郎 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/44 | 分类号： | H01L51/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电转换元件 固体接合 导电件 第二导电层 第一导电层 钙钛矿层 发电层 自立性 基材 制造 | ||
1.一种固体接合型光电转换元件，其依次具备基材、第一导电层、包含钙钛矿层的发电层、以及包含第二导电层的导电件，
所述导电件具有自立性。
2.根据权利要求1所述的固体接合型光电转换元件，其中，所述导电件的厚度为1μm以上。
3.根据权利要求1或2所述的固体接合型光电转换元件，其中，所述第二导电层为金属箔。
4.根据权利要求1或2所述的固体接合型光电转换元件，其中，所述导电件为具备所述第二导电层和支承件的层叠体。
5.根据权利要求4所述的固体接合型光电转换元件，其中，所述第二导电层由选自金属、金属氧化物、碳材料和有机高分子材料中的1种以上形成。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的固体接合型光电转换元件，其中，所述发电层具有1个以上从所述导电件侧的面朝向所述第一导电层侧延伸的裂纹，
所述导电件密合于所述发电层且跨越所述裂纹。
7.一种固体接合型光电转换元件的制造方法，其中，所述固体接合型光电转换元件依次具备第一导电层、包含钙钛矿层的发电层、以及包含第二导电层的导电件，所述制造方法具备如下工序：
在基材上依次形成所述第一导电层和所述发电层的工序；以及
在所述发电层上贴附所述导电件的工序。
8.根据权利要求7所述的固体接合型光电转换元件的制造方法，其中，在贴附所述导电件的工序中，在所述发电层上载置所述导电件后，通过加压来进行贴附。
9.根据权利要求7或8所述的固体接合型光电转换元件的制造方法，其中，所述第二导电层为金属箔。
10.根据权利要求7或8所述的固体接合型光电转换元件的制造方法，其中，所述导电件为具备所述第二导电层和支承件的层叠体。
11.根据权利要求10所述的固体接合型光电转换元件的制造方法，其中，所述第二导电层由选自金属、金属氧化物、碳材料和有机高分子材料中的1种以上形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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