[发明专利]高导电性碳纳米管及制造其的方法

权利要求书

1.满足以下式1的条件的碳纳米管：

[式1]

80L_c×[碳纳米管的比表面积]^1/2≤88.37

其中，L_c为通过X射线衍射方法而测量的晶体尺寸，L_c的单位是nm并且碳纳米管的比表面积的单位是m²/g，

所述碳纳米管在1g/cc以上的压制密度下具有0.012Ω·cm以下的粉末电阻率。

2.根据权利要求1所述的碳纳米管，其中，所述L_c的值为4.8nm以上。

3.根据权利要求1所述的碳纳米管，其中，所述碳纳米管的比表面积为200m²/g至500m²/g。

4.根据权利要求1所述的碳纳米管，其中，所述碳纳米管满足以下式2的关系：

[式2]

-0.0004X+0.041≤Y≤-0.0004X+0.044

其中，

X为L_c×[碳纳米管的比表面积]^1/2的值，以及

Y为所述碳纳米管的粉末电阻率，单位是Ω·cm。

5.根据权利要求1所述的碳纳米管，其中，所述碳纳米管在0.6g/cc以下的压制密度下具有0.035Ω·cm以下的粉末电阻率。

6.根据权利要求1所述的碳纳米管，其中，除碳之外，所述碳纳米管包含6质量％以下的Fe和3质量％以下的V作为金属元素。

7.根据权利要求6所述的碳纳米管，其中，所述碳纳米管通过使含碳化合物与在具有30至500m²/g的比表面积的碳载体上负载有铁(Fe)和钒(V)的催化剂接触来制备，

所述催化剂中负载的铁的量为5至40质量％，相对于铁的摩尔数，所述催化剂中钒(V)的浓度为20至100摩尔％，以及

除了所述含碳化合物之外，还使用了载气来制备所述碳纳米管，其中以{(含碳化合物的流量)/(载气的流量+含碳化合物的流量)}×100(体积％)计算，待供应的所述含碳化合物的量为30至90体积％。

8.一种评价碳纳米管的导电性的方法，所述碳纳米管在1g/cc以上的压制密度下具有0.012Ω·cm以下的粉末电阻率并且所述方法根据以下式1采用碳纳米管的比表面积和晶体尺寸作为导电性的评价因子：

[式1]

80L_c×[碳纳米管的比表面积]^1/2≤88.37

其中，L_c为通过X射线衍射方法而测量的晶体尺寸，L_c的单位是nm并且碳纳米管的比表面积的单位是m²/g。

9.一种聚合物复合物，其包含权利要求1至7任一项所述的高导电性碳纳米管。

10.根据权利要求9所述的聚合物复合物，其中，在0.02重量％以上的碳纳米管含量下，所述聚合物复合物具有10³Ω/cm²以下的表面电阻率。

11.根据权利要求9所述的聚合物复合物，其中，所述聚合物复合物包含0.02重量％至5重量％的所述碳纳米管。

12.一种锂二次电池，其包含权利要求1至7任一项所述的碳纳米管。

13.根据权利要求12所述的锂二次电池，其包含所述碳纳米管作为阴极的导电材料。

14.根据权利要求13所述的锂二次电池，其中，所述锂二次电池在10至20的SOC的条件下具有1.3Ω以下的电池内部电阻率。