[发明专利]用于转移微电子器件的方法

说明书

本发明涉及用于转移微电子器件的方法，其包括以下步骤：将形成在晶片的一个表面上的多个元件芯片转移至第一粘合膜的粘合层，所述第一粘合膜包括透光基底和形成在透光基底上的粘合层；通过第一粘合膜的透光基底对其上转移有多个元件芯片的粘合层的另一个表面进行选择性曝光；以及通过使第一粘合膜上的多个元件芯片与第二粘合膜的粘合层接触将第一粘合膜上的多个元件芯片选择性转移，所述第二粘合膜包括透光基底和形成在透光基底上的粘合层，其中第一粘合膜的粘合层的未曝光部分对元件芯片的粘合力大于第二粘合膜的粘合层对元件芯片的粘合力，并且第一粘合膜的粘合层的曝光部分对元件芯片的粘合力小于第二粘合膜的粘合层对元件芯片的粘合力。

技术领域

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年12月26日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0179493号的优先权的权益，其全部公开内容通过引用并入本文。

本发明涉及用于转移微电子器件的方法。

背景技术

发光二极管(LED)是其中包含于其中的材料发光的器件，并且通过将粘合的半导体的电子与空穴复合产生的能量转换成光能并由此发光。

目前，发光二极管被广泛用作灯、显示器件和光源，并且其正在加速发展。

近来，已经进行了使用微LED芯片的显示器件的开发，以实现表现出高图像质量的柔性显示器。已经开发了用于微LED芯片的转移技术和转移方法。

例如，美国专利申请公开第2013-0210194号公开了一种使用静电转移头从晶片拾取一部分微器件的方法，所述静电转移头中形成有电极，使电压施加至由硅材料制成的头部。

然而，根据该方法，不仅在面板生产完成后难以检测缺陷像素，而且还存在面板尺寸的可扩展性低的缺点。此外，存在需要复杂的LED预处理过程以防止由静电引起的LED损坏的限制。

此外，还已知使用利用弹性聚合物材料如聚二甲基硅氧烷(PDMS)等生产的头来拾取和转移微单元LED芯片的方法。然而，存在这样的限制：需要单独的粘合层，并且需要单独的过程等以在转移过程期间持续保持粘合力。

对于用于拾取和转移公知的微LED芯片的方法，存在由静电引起的LED损坏的可能性，不能充分确保转移效率，或者需要昂贵的处理装置，因此难以确保大量生产。

现有技术文件

专利文件

(专利文件1)美国专利申请公开第2013-0210194号

(专利文件2)韩国专利申请公开第2009-0098563号

(专利文件3)韩国专利申请公开第2005-0062886号

(专利文件4)日本专利申请公开第2006-0048393号

发明内容

技术问题

本发明的一个目的是提供用于转移微电子器件的方法，所述方法能够更有效地选择和转移微尺寸的LED芯片而不添加昂贵的设备或复杂的过程，并且防止由静电、异物等引起的对LED器件的损坏。

技术方案