[发明专利]通过异常值检测的特征选择及自动化工艺窗监测有效
申请号: | 201780005642.2 | 申请日: | 2017-01-05 |
公开(公告)号: | CN108475649B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | S·卡达尔;S·乔纳宾;H·法加里亚;B·里斯 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 异常 检测 特征 选择 自动化 工艺 监测 | ||
1.一种用于产生分类器的方法,其包括:
使用产生光束的成像设备产生至少一个晶片图像,所述晶片图像包括一组裸片图像;
使用处理器,基于所述一组裸片图像产生晶片的中值裸片及所述晶片的标准偏差;
使用所述处理器,基于所述晶片的所述中值裸片且基于所述晶片的所述标准偏差产生片段掩模;
使用所述处理器,将所述片段掩模应用到所述裸片图像中的每一者以产生针对所述裸片图像中的每一者的多个经分段裸片图像;
使用所述处理器,用特征值的向量来表示所述裸片中的每一者,其中所述特征值是所述晶片图像的晶片级特征的特征值;
使用所述处理器,基于所述向量计算针对所述裸片图像中的每一者的裸片度量;及
使用所述处理器,识别所述裸片度量、所述片段掩模及所述晶片图像的一或多个统计上显著组合以产生分类器,其中所述统计上显著组合是基于从所述特征值中统计地选择的标称类别特征。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述裸片度量包含针对所述经分段裸片图像中的每一者的平均值及标准偏差。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述裸片度量包含针对所述裸片的梯度图像的所述经分段裸片图像的平均值及标准偏差。
4.根据权利要求3所述的方法,其中针对所述经分段裸片图像中的每一者的所述平均值及所述标准偏差包含Y梯度或X梯度的至少一者。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述分类器是单类别马氏分类器。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述分类器是单类别支持向量机(SVM)分类器。
7.一种用于确定工艺状态的方法,其包括:
接收能够检测工艺非合规的预定分类器,其中所述分类器是基于经掩蔽裸片图像的度量的组合;
使用产生光束的成像设备产生包括一组裸片图像的晶片图像;
使用片段掩模遮蔽所述晶片图像;
使用处理器,用特征值的向量来表示所述一组裸片图像中的所述裸片中的每一者,其中所述特征值是所述晶片图像的晶片级特征的特征值;
使用所述处理器计算针对所述裸片中的每一者的裸片度量;
使用所述处理器,基于所述片段掩模与来自所述分类器的所述经掩蔽裸片图像的度量的对应组合来计算所述晶片图像的度量;及
使用所述处理器,基于经计算的所述晶片图像的度量,使用所述分类器确定工艺状态。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述分类器是单类别马氏分类器。
9.根据权利要求7所述的方法,其中所述分类器是单类别支持向量机(SVM)分类器。
10.根据权利要求7所述的方法,其中所述裸片度量包含针对经分段裸片图像的平均值及标准偏差。
11.根据权利要求7所述的方法,其中所述裸片度量包含针对所述裸片的梯度图像的经分段裸片图像的平均值及标准偏差。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述平均值及所述标准偏差包含Y梯度或X梯度中的至少一者。
13.根据权利要求7所述的方法,其进一步包括:
在所述工艺状态下训练预测模型;
基于所述工艺状态计算制造工具的经估计参数;及
将所述经估计参数传达到所述制造工具。
14.根据权利要求7所述的方法,其进一步包括使用所述裸片图像训练自动编码器,其中所述自动编码器经配置以确定制造工具的焦点及曝光偏斜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司,未经科磊股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780005642.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶片检查装置及其维护方法
- 下一篇:改善的基底加工和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造