[发明专利]内部应力控制膜的形成方法有效
| 申请号： | 201780005953.9 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108474107B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 中野贤明;平松大典;沼田幸展 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内部 应力 控制 形成 方法 | ||
1.一种内部应力控制膜的形成方法，其通过溅射法在被处理体的一面形成内部应力控制膜，其中，
所述内部应力控制膜由氮化钛构成，
对所述被处理体施加的偏压BS大于0，所述偏压BS的比功率为对靶施加的偏压BT的比功率的1/150以下的范围，并且，形成所述内部应力控制膜时的工艺气体的压力从比5Pa的阈值高的压力区域中选择。
2.一种内部应力控制膜的形成方法，其通过溅射法在被处理体的一面形成内部应力控制膜，其中，
形成所述内部应力控制膜时的工艺气体的压力从比5Pa的阈值高的压力区域中选择，
所述内部应力控制膜由氮化钛构成，
使用由钛构成的靶和作为所述工艺气体包含氮的气体，
在将所述工艺气体的压力P设为横轴，将对所述被处理体施加的偏压BS除以对所述靶施加的偏压BT的数值、即比率R1设为纵轴的膜密度呈等高线的图表G1中，以包含在通过三个坐标a1(10.0、0.0016)、a2(17.0、0.00059)及a3(25.0、0.0001)的曲线α的右上区域的方式，选择所述压力P与所述比率R1的组合，所述比率R1以R1＝BS/BT表示。
3.根据权利要求2所述的内部应力控制膜的形成方法，其中，
在所述图表G1中，以包含在通过三个坐标b1(10.0、0.00241)、b2(17.0、0.0012)及b3(25.0、0.0004)的曲线β的右上区域的方式，选择所述压力P与所述比率R1的组合。
4.一种内部应力控制膜的形成方法，其通过溅射法在被处理体的一面形成内部应力控制膜，其中，
形成所述内部应力控制膜时的工艺气体的压力从比5Pa的阈值高的压力区域中选择，
所述内部应力控制膜由氮化钛构成，
使用由钛构成的靶和作为所述工艺气体包含氮的气体，
在将所述工艺气体的压力P设为横轴，所述内部应力控制膜的成膜速度DR为10nm/min，将成膜速度DR除以对所述被处理体施加的偏压BS的比功率得到的数值、即比率R2＝DR/(BS的比功率)设为纵轴的膜密度呈等高线的图表G2中，以包含在通过三个坐标c1(10.0、0.0032)、c2(17.0、0.0018)及c3(25.0、0.0008)的曲线γ的右上区域的方式，选择所述压力P与所述比率R2的组合。
5.根据权利要求4所述的内部应力控制膜的形成方法，其中，
在所述图表G2中，以包含在通过三个坐标d1(10.0、0.008)、d2(17.0、0.0034)及d3(25.0、0.002)的曲线δ的右上区域的方式，选择所述压力P与所述比率R2的组合。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的内部应力控制膜的形成方法，其中，包含构成所述工艺气体的氮的气体由氩气和氮气构成，所述氮气在包含所述氮的气体中所占的流量比为50％以上。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的内部应力控制膜的形成方法，其中，包含构成所述工艺气体的氮的气体由氩气和氮气构成，所述氮气在包含所述氮的气体中所占的流量比为70％以上。
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