[发明专利]多晶介电体薄膜及电容元件有效

专利信息
申请号: 201780006873.5 申请日: 2017-02-01
公开(公告)号: CN108475580B 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 山崎久美子;千原宏;永峰佑起;山崎纯一 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01G4/33 分类号: H01G4/33;C04B35/50;H01B3/00;H01G4/12
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;沈娟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 多晶 介电体 薄膜 电容 元件
【权利要求书】:

1.一种多晶介电体薄膜,其主要组成是钙钛矿型氮氧化物,其特征为:

该钙钛矿型氮氧化物以组成式AaBbOoNn表示,其中,

a+b+o+n=5,

所述A是选自Sr、Ba、Nd中的1种以上的元素,且

所述B是选自Ta、Ti中的1种以上的元素,

a/b1,且

n≥0.7,

tanδ为10%以下。

2.如权利要求1所述的多晶介电体薄膜,其中,

所述多晶介电体薄膜具有BO4N2的八面体结构,且所述八面体结构中的N的配置为cis型。

3.一种电容元件,其具有如权利要求1或2所述的多晶介电体薄膜。

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