[发明专利]多晶介电体薄膜及电容元件有效
申请号: | 201780006873.5 | 申请日: | 2017-02-01 |
公开(公告)号: | CN108475580B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 山崎久美子;千原宏;永峰佑起;山崎纯一 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01G4/33 | 分类号: | H01G4/33;C04B35/50;H01B3/00;H01G4/12 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;沈娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 介电体 薄膜 电容 元件 | ||
【权利要求书】:
1.一种多晶介电体薄膜,其主要组成是钙钛矿型氮氧化物,其特征为:
该钙钛矿型氮氧化物以组成式AaBbOoNn表示,其中,
a+b+o+n=5,
所述A是选自Sr、Ba、Nd中的1种以上的元素,且
所述B是选自Ta、Ti中的1种以上的元素,
a/b1,且
n≥0.7,
tanδ为10%以下。
2.如权利要求1所述的多晶介电体薄膜,其中,
所述多晶介电体薄膜具有BO4N2的八面体结构,且所述八面体结构中的N的配置为cis型。
3.一种电容元件,其具有如权利要求1或2所述的多晶介电体薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780006873.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子部件保持件
- 下一篇:具有改善的漏电流的固体电解电容器