[发明专利]多晶介电体薄膜及电容元件有效
| 申请号： | 201780006873.5 | 申请日： | 2017-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108475580B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎久美子;千原宏;永峰佑起;山崎纯一 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;C04B35/50;H01B3/00;H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;沈娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 介电体 薄膜 电容 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶介电体薄膜，其主要组成是钙钛矿型氮氧化物，其特征为：
该钙钛矿型氮氧化物以组成式AaBbOoNn表示，其中，
a+b+o+n＝5，
所述A是选自Sr、Ba、Nd中的1种以上的元素，且
所述B是选自Ta、Ti中的1种以上的元素，
a/b1，且
n≥0.7，
tanδ为10％以下。
2.如权利要求1所述的多晶介电体薄膜，其中，
所述多晶介电体薄膜具有BO4N2的八面体结构，且所述八面体结构中的N的配置为cis型。
3.一种电容元件，其具有如权利要求1或2所述的多晶介电体薄膜。
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