[发明专利]离子传导体的制造方法有效
| 申请号： | 201780006992.0 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN108475565B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 岛田昌宏;伊藤智裕;香取亚希;宇根本笃;折茂慎一 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社;东北泰克诺亚奇股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B1/06;H01M10/0562 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 传导 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种离子传导体的制造方法，其特征在于，包括：
使用溶剂将LiBH4和下述式(1)所示的卤化锂混合的步骤；和在60℃～280℃将所述溶剂除去的步骤，
LiX (1)
式(1)中，X表示选自卤素原子中的1种。
2.如权利要求1所述的离子传导体的制造方法，其特征在于：
所述离子传导体在CuKα：的X射线衍射中，至少在2θ＝23.9±1.2deg、25.6±1.5deg、27.3±1.5deg、35.4±2.0deg和42.2±2.0deg具有衍射峰。
3.如权利要求1或2所述的离子传导体的制造方法，其特征在于：
所述溶剂为醚系溶剂。
4.如权利要求3所述的离子传导体的制造方法，其特征在于：
所述醚系溶剂选自四氢呋喃、2－甲基四氢呋喃和环戊基甲基醚。
5.如权利要求1或2所述的离子传导体的制造方法，其特征在于：
卤化锂的水的含量为50ppm以上且小于70000ppm。
6.如权利要求1或2所述的离子传导体的制造方法，其特征在于：
卤化锂的水的含量为50～26000ppm。
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