[发明专利]用于基板处理的图案化卡盘有效
申请号: | 201780007301.9 | 申请日: | 2017-01-18 |
公开(公告)号: | CN108604568B | 公开(公告)日: | 2023-10-10 |
发明(设计)人: | T·布卢克;B·阿迪博;V·普拉巴卡;W·E·小伦斯塔得雷 | 申请(专利权)人: | 因特瓦克公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王琼先;王永建 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 图案 卡盘 | ||
1.一种用于半导体晶片的卡盘,其包括:
具有绝缘顶表面的本体;
多个细长弯曲装置,每一个被构造成在热膨胀时造成晶片的弯曲,使得所述晶片呈现波纹形状,并且其中所有的所述细长弯曲装置彼此平行定位;
嵌入所述本体内的电极。
2.根据权利要求2所述的卡盘,其中所述电极包括多个细长电极板,每个电极板位于两个所述细长弯曲装置之间。
3.根据权利要求2所述的卡盘,其中每个所述细长弯曲装置穿过所述绝缘顶表面的整个长度延伸。
4.根据权利要求3所述的卡盘,其中每个所述细长弯曲装置包括线性凸台。
5.根据权利要求3所述的卡盘,其中每个所述细长弯曲装置包括沿着单行布置的多个线性凸台。
6.根据权利要求1所述的卡盘,其中所述电极包括单个电极板。
7.根据权利要求6所述的卡盘,其中每个所述细长弯曲装置包括穿过所述绝缘顶表面的整个长度延伸的线性沟槽。
8.根据权利要求6所述的卡盘,其中每个所述细长弯曲装置穿过所述绝缘顶表面的一部分延伸,使得在其中没有所述细长弯曲装置的顶表面上限定出锚固区域。
9.根据权利要求8所述的卡盘,其中每个所述细长弯曲装置包括线性沟槽。
10.根据权利要求9所述的卡盘,其进一步包括锚固件,所述锚固件机械地约束所述卡盘在一侧的运动并且允许所述卡盘在相反侧上热膨胀。
11.一种用于半导体晶片的卡盘,其包括具有顶表面的板、多个细长直肋,每个所述细长直肋在所述卡盘的顶表面的整个长度延伸,其中每个所述细长肋的宽度和高度被构造成使得当夹持电位被施加到卡盘时,晶片围绕每个细长肋弯曲使得所述晶片的背表面接触所述卡盘的顶表面并且所述细长肋的数量被配置成产生膨胀补偿以补偿在加热时晶片的热膨胀。
12.根据权利要求11所述的卡盘,其进一步包括嵌入所述卡盘内的多个细长电极,并且每个电极位于两个细长肋之间。
13.根据权利要求11所述的卡盘,其进一步包括锚固件,所述锚固件机械地约束所述卡盘在一侧的运动,并且允许所述卡盘在相反侧上的热膨胀。
14.根据权利要求11所述的卡盘,其中所述顶表面是绝缘体。
15.根据权利要求11所述的卡盘,其中所述顶表面包括阳极氧化铝。
16.根据权利要求11所述的卡盘,其中所述细长直肋表面是绝缘体。
17.根据权利要求11所述的卡盘,其中所述细长直肋包括阳极氧化铝。
18.根据权利要求11所述的卡盘,其中每个所述细长肋的宽度和高度被构造成使得晶片能够弯曲到小于等于十度的偏转角,其中所述偏转角由从所述卡盘的顶表面到与由所述晶片的弯曲引起的凸起相切的线的角度限定。
19.一种用于处理半导体晶片的方法,其包括:
提供一种具有顶表面和形成在所述顶表面上的多个细长弯曲装置的卡盘;
将所述晶片放置在所述卡盘上;
确定所述晶片的热膨胀;
向所述卡盘施加夹持电位以便造成所述晶片围绕每个所述细长弯曲装置弯曲使得所述晶片呈现波纹形貌。
20.根据权利要求19所述的方法,其进一步包括根据所述晶片的温度增加来增加所述夹持电位。
21.根据权利要求20所述的方法,其进一步包括机械地锚固所述卡盘的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造