[发明专利]固体摄像装置在审
申请号: | 201780007457.7 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN108604590A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 横山敏史;西嘉昭;铃木政腾;益田洋司 | 申请(专利权)人: | TOWERJAZZ松下半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京煦润律师事务所 11522 | 代理人: | 梁永芳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明绝缘膜 突起部 透明保护膜 固体摄像装置 折射率比 布线层 上表面 受光部 折射率 方式设置 平面形状 全局快门 呈柱状 覆盖布 线层 贯穿 | ||
1.一种固体摄像装置,其特征在于:包括:
衬底;
多个受光部,其设置在所述衬底的上部,且进行光电转换;
存储部,其与多个所述受光部中的每个受光部对应着设置在所述衬底的上部,所述存储部将由多个所述受光部中的每个受光部生成的电荷积累起来;
至少一层布线层,其设置在所述衬底上,在所述布线层形成有多根金属布线;
第一透明绝缘膜,其以贯穿所述布线层的方式设置在多个所述受光部的正上方且多根所述金属布线之间的区域;
透明保护膜,其覆盖所述布线层的上表面和所述第一透明绝缘膜的上表面,所述透明保护膜的折射率比所述第一透明绝缘膜的折射率高;
第一突起部,其在所述透明保护膜上设置为位于多个所述受光部中的每个受光部的上方,所述第一突起部呈柱状且该第一突起部的平面形状为四边形;以及
第二透明绝缘膜,其设置在所述第一突起部上,所述第二透明绝缘膜的折射率比所述第一突起部的折射率低。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于:
所述透明保护膜和所述第一突起部由同一的透明材料膜制成,所述透明材料膜的下部为所述透明保护膜,所述透明材料膜的上部为所述第一突起部。
3.根据权利要求1或2所述的固体摄像装置,其特征在于:
在所述衬底上形成有多个单元,每个所述单元包括多个所述受光部中的一个受光部和对应于该受光部的一个存储部,
所述第一突起部的平面形状的各条边的长度为所述单元的尺寸的60%以上且80%以下。
4.根据权利要求1或2所述的固体摄像装置,其特征在于:
在所述衬底上形成有多个单元,每个所述单元包括多个所述受光部中的一个受光部和对应于该受光部的一个存储部,
所述第一突起部的高度为所述单元的尺寸的5%以上且30%以下。
5.根据权利要求1到4中任一项所述的固体摄像装置,其特征在于:
还包括彩色滤光片,其设置在第二透明绝缘膜的位于所述第一突起部的上方的部分上,并选择性地使具有与多种颜色中的任一种颜色相对应的波长的光透过,
透过所述彩色滤光片的光的波长越长,该第一突起部的平面形状的规定方向上的宽度越大,该彩色滤光片设置在所述第一突起部的上方。
6.根据权利要求1到5中任一项所述的固体摄像装置,其特征在于:
所述布线层设置有两层以上,
在上下方向上相邻的所述布线层之间形成有由与所述第一透明绝缘膜相同的材料制成的层间绝缘膜。
7.根据权利要求1到6中任一项所述的固体摄像装置,其特征在于:
所述第一突起部的折射率比所述第二透明绝缘膜的折射率高,该折射率的差分在0.3以上且0.6以下的范围内。
8.根据权利要求1到7中任一项所述的固体摄像装置,其特征在于:
所述第一透明绝缘膜由氧化硅类材料制成,并且所述透明保护膜和所述第一突起部由氮化硅类材料制成。
9.根据权利要求1到8中任一项所述的固体摄像装置,其特征在于:
当俯视时所述第一突起部的平面形状为正方形。
10.根据权利要求1到9中任一项所述的固体摄像装置,其特征在于:
所述固体摄像装置还包括防反射膜,其覆盖所述第一突起部的上表面和侧面。
11.根据权利要求1到10中任一项所述的固体摄像装置,其特征在于:
在所述透明保护膜的下表面的、位于多个所述受光部中的每个受光部上方的区域的一部分上,形成有朝着所述第一透明绝缘膜的内侧向下突出的第二突起部。
12.根据权利要求11所述的固体摄像装置,其特征在于:
所述第二突起部形成为当从下方观看时呈窗框形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的