[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；

第一导电型的发射区，其在所述半导体基板的内部设置于所述漂移区的上方，且第一导电型的发射区的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；

第二导电型的基区，其在所述半导体基板的内部设置在所述发射区与所述漂移区之间；

第一导电型的第一积累区，其在所述半导体基板的内部设置在所述基区与所述漂移区之间，且第一导电型的第一积累区的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；

多个沟槽部，其以从所述半导体基板的上表面贯穿所述发射区、所述基区和所述第一积累区的方式设置，且在内部设置有导电部；

电容附加部，其设置于比所述第一积累区靠近下方的位置，且附加栅极-集电极间电容，

所述电容附加部具有第一导电型的积累区，所述第一导电型的积累区在2个沟槽部之间设置于比所述第一积累区靠近下方的位置，且第一导电型的积累区的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高，

所述第一积累区和所述积累区均在掺杂浓度分布中具有浓度峰。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电容附加部在所述半导体基板的深度方向上具有多个掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的积累区。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，形成在比所述第一积累区靠近下侧的位置的至少一个积累区的掺杂浓度比所述第一积累区的掺杂浓度低。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，形成于最下侧的所述积累区的在所述半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布的峰位置配置在比所述沟槽部的下端靠近上侧的位置。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，形成于最下侧的所述积累区的在所述半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布的峰位置配置在比所述沟槽部的下端靠近上侧的位置。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，形成于最下侧的所述积累区的下端配置在比所述沟槽部的下端靠近上侧的位置。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，形成于最下侧的所述积累区的下端配置在比所述沟槽部的下端靠近上侧的位置。

8.根据权利要求2～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体基板的深度方向上，形成于最下侧的所述积累区的掺杂浓度分布的峰位置配置在比所述沟槽部的中央靠近下侧的位置。

9.根据权利要求2～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述第一积累区以外的积累区中，靠下侧的所述积累区的掺杂浓度比靠上侧的所述积累区的掺杂浓度高。

10.根据权利要求2～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体基板的深度方向上，所述第一积累区与邻近所述第一积累区配置的所述积累区之间的间隔比最下侧的所述积累区与从下侧起算第二个所述积累区之间的间隔大。

11.根据权利要求2～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述电容附加部在所述半导体基板的深度方向上具有2个所述积累区，

形成于最下侧的所述积累区与从下方起算形成在第二个的所述积累区之间的掺杂浓度分布的极小值比所述第一积累区与所述从下方起算形成在第二个的所述积累区之间的掺杂浓度分布的极小值小。

12.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一积累区与邻近所述第一积累区配置的所述积累区之间的区域中的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高。

13.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一积累区与邻近所述第一积累区配置的所述积累区之间的区域中的掺杂浓度的最小值为所述第一积累区的掺杂浓度的峰值的1/10以下。