[发明专利]Cu-Ga合金溅射靶的制造方法及Cu-Ga合金溅射靶

权利要求书

1.一种Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，所述Cu-Ga合金溅射靶由Cu-Ga合金构成且具有中空部，所述Cu-Ga合金溅射靶的制造方法的特征在于，具有：

临时烧结工序，向具有型芯的成型模具填充至少包含CuGa合金粉的原料粉，并在还原气氛中进行加热而形成临时烧结体；及

正式烧结工序，从所述临时烧结体抽取所述型芯，并在还原气氛中加热所述临时烧结体而形成烧结体，

所述临时烧结工序中，作为所述型芯，使用由线性热膨胀系数大于构成所述Cu-Ga合金溅射靶的Cu-Ga合金的材质构成的型芯，在100℃以上且600℃以下的温度下保持10分钟以上且10小时以下，由此形成所述临时烧结体。

2.根据权利要求1所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，

所述原料粉包含Cu粉及CuGa合金粉，所述Cu粉的含量设为5质量％以上。

3.根据权利要求1所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，

所述原料粉包含Ga浓度设为大于0原子％且20原子％以下的范围内的第一CuGa合金粉及Ga浓度设为大于20原子％且70原子％以下的范围内的第二CuGa合金粉，所述第一CuGa合金粉的含量设为5质量％以上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，

所述原料粉中的Ga的含量为20原子％以上且40原子％以下。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，

在所述正式烧结工序中，在常压下，将烧成后的Cu-Ga合金的液相出现温度设为Tm℃的情况下，以(Tm-150)℃以上且小于Tm℃的温度条件进行烧结。

6.根据权利要求4所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，

在所述正式烧结工序中，在常压下，将烧成后的Cu-Ga合金的液相出现温度设为Tm℃的情况下，以(Tm-150)℃以上且小于Tm℃的温度条件进行烧结。

7.一种Cu-Ga合金溅射靶，其由Cu-Ga合金构成且具有中空部，所述Cu-Ga合金溅射靶的特征在于，

内周侧的抗折强度Fi与外周侧的抗折强度Fo之比Fi/Fo设为0.980以上且1.020以下的范围内。

8.根据权利要求7所述的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，

圆当量直径小于25μm的空孔的个数密度设为100个/mm²以下，圆当量直径25μm以上且小于100μm的空孔的个数密度设为20个/mm²以下，圆当量直径100μm以上的空孔的个数密度设为2个/mm²以下。

9.根据权利要求7或8所述的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，

Ga浓度设为20原子％以上且40原子％以下的范围内。

10.根据权利要求7或8所述的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，

相对密度设为90％以上。

11.根据权利要求9所述的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，

相对密度设为90％以上。