[发明专利]液晶显示装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201780008131.6 申请日: 2017-01-24
公开(公告)号: CN108496110A 公开(公告)日: 2018-09-04
发明(设计)人: 小林君平;近森博之;荒井则博;小牧政教 申请(专利权)人: 奥特司科技株式会社
主分类号: G02F1/1334 分类号: G02F1/1334
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 常海涛;孙微
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 膜基板 开关元件 液晶显示装置 反射膜 高分子分散型液晶 高分子网络 公共电极 相对配置 像素电极 电连接 液晶层 漏极 液晶 制造
【权利要求书】:

1.一种液晶显示装置,包括:

具有柔性的第1膜基板;

与所述第1膜基板相对配置的、且具有柔性的第2膜基板;

夹在所述第1膜基板与所述第2膜基板之间的、由高分子分散型液晶(PDLC)或高分子网络型液晶(PNLC)构成的液晶层;

设置在所述第1膜基板上的开关元件;

设置在所述开关元件上的反射膜;

设置在所述反射膜上的、与所述开关元件的漏极电连接的像素电极;以及

设置在所述第2膜基板上的公共电极。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置,

进一步包括配置在所述第1膜基板上的所述开关元件上的彩色滤光片。

3.根据权利要求1所述的液晶显示装置,

所述第1膜基板的耐热性为300℃以上、并且热膨胀系数为5×10-6/℃以下。

4.根据权利要求1所述的液晶显示装置,

所述第2膜基板的耐热性为100℃以上、并且可见光的透过率为80%以上。

5.根据权利要求1所述的液晶显示装置,

所述第2膜基板透过可见光外的短波长侧的波长带为300至400nm的光,并且在365nm波长中具有20%以上的透过率。

6.根据权利要求1所述的液晶显示装置,

进一步包括设置在所述第2膜基板上的透明导电膜,并且所述透明导电膜的厚度为10至200nm。

7.根据权利要求1所述的液晶显示装置,

所述第1膜基板由聚酰亚胺构成,所述第2膜基板由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成。

8.根据权利要求1所述的液晶显示装置,

所述开关元件是薄膜晶体管,所述薄膜晶体管驱动所述像素电极。

9.根据权利要求1所述的液晶显示装置,进一步包括:

设置在所述第1膜基板与所述开关元件之间的、电连接至所述开关元件的源极上的配线层;以及

设置在所述第1膜基板与所述配线层之间的绝缘膜。

10.一种液晶显示装置的制造方法,包括:

将第1膜基板贴附至第1玻璃基板的步骤;

在粘接于所述第1玻璃基板的所述第1膜基板上形成开关元件、反射膜以及彩色滤光片的步骤;

将第2膜基板贴附至第2玻璃基板的步骤;以及

将附有所述第1膜基板的所述第1玻璃基板与附有所述第2膜基板的所述第2玻璃基板合在一起,同时在所述第1膜基板与所述第2膜基板之间封入高分子分散型液晶或高分子网络型液晶的步骤。

11.根据权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法,

所述第1膜基板与所述第1玻璃基板之间通过第1粘接材料进行粘接,所述第2膜基板与所述第2玻璃基板之间通过第2粘接材料进行粘接,所述第1粘接材料和所述第2粘接材料中的至少任意一者为硅烷偶联材料,所述硅烷偶联材料的粘接力为0.01至1N/cm。

12.根据权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法,

所述第1膜基板与所述第2膜基板之间的所述高分子分散型液晶或高分子网络型液晶通过逐滴填充(One Drop Filling,ODF)法而被封入。

13.根据权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法,进一步包括:

在封入所述高分子分散型液晶或高分子网络型液晶的步骤之后,将所述第1及第2玻璃基板分别从所述第1及第2膜基板剥离的步骤;以及

将剥离了所述第1及第2玻璃基板后的所述第1及第2膜基板分为多个液晶显示装置的步骤。

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