[发明专利]集成光电检测器

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

基板；

光电二极管，所述光电二极管形成在所述基板的底表面上方，所述光电二极管具有p-n结；以及

菲涅耳结构，所述菲涅耳结构形成在所述光电二极管上方，所述菲涅耳结构限定定位在所述p-n结的附近区域内的聚焦区，其中所述菲涅耳结构包括形成在所述光电二极管上方的沟槽图案，所述沟槽图案包括：

第一沟槽，所述第一沟槽被定位成以第一径向距离与所述菲涅耳结构的中心区域相邻，所述第一沟槽被蚀刻到所述基板的顶表面中；以及

第二沟槽，所述第二沟槽被定位成以第三径向距离与所述菲涅耳结构的所述中心区域相邻，所述第二沟槽被蚀刻到所述基板的所述顶表面中。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述第一沟槽具有第一沟槽宽度，所述第一沟槽宽度基于第二径向距离和所述第一径向距离之间的第一差值；以及

所述第二沟槽具有第二沟槽宽度，所述第二沟槽宽度基于第四径向距离和所述第三径向距离之间的第二差值。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中：

所述第一径向距离基于由所述聚焦区限定的焦距、第一乘数，以及待由所述光电二极管检测的电磁波即EM波的波长；

所述第二径向距离基于所述焦距、大于所述第一乘数的第二乘数，以及待由所述光电二极管检测的所述EM波的所述波长；

所述第三径向距离基于所述焦距、大于所述第二乘数的第三乘数，以及待由所述光电二极管检测的所述EM波的所述波长；并且

所述第四径向距离基于所述焦距、大于所述第三乘数的第四乘数，以及待由所述光电二极管检测的所述EM波的所述波长。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述第一沟槽包括平行于所述基板的顶表面并且横向围绕所述菲涅耳结构的所述中心区域的第一环形沟槽；并且

所述第二沟槽包括平行于所述基板的所述顶表面并且横向围绕所述第一环形沟槽的第二环形沟槽。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中：

所述第一环形沟槽包括第一圆环形沟槽，所述第一圆环形沟槽具有与所述菲涅耳结构的所述中心区域重叠的中心；并且

所述第二环形沟槽包括与所述第一圆环形沟槽同心的第二圆环形沟槽。

6.根据权利要求4所述的集成电路，其中：

所述第一环形沟槽包括第一八边形环形沟槽，所述第一八边形环形沟槽具有与所述菲涅耳结构的所述中心区域重叠的中心；并且

所述第二环形沟槽包括与所述第一八边形环形沟槽同心的第二八边形环形沟槽。

7.根据权利要求4所述的集成电路，其中：

所述第一环形沟槽包括第一矩形环形沟槽，所述第一矩形环形沟槽具有与所述菲涅耳结构的所述中心区域重叠的中心；并且

所述第二环形沟槽包括与所述第一矩形环形沟槽同心的第二矩形环形沟槽。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述第一沟槽包括放置在所述菲涅耳结构的所述中心区域的相对侧上的第一对平行沟槽；并且

所述第二沟槽包括包围所述第一对平行沟槽的第二对平行沟槽。

9.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

沉积在所述第一沟槽内的第一透明电介质结构；以及

沉积在所述第二沟槽内的第二透明电介质结构。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述第一透明电介质结构和所述第二透明电介质结构中的至少一个包括远离所述中心区域而略微倾斜的顶表面。