[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备基板、以及支撑于上述基板的第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管，

上述第1薄膜晶体管具有：第1栅极电极；结晶质硅半导体层；第1栅极绝缘层，其配置在上述第1栅极电极和上述结晶质硅半导体层之间；以及第1源极电极和第1漏极电极，其与上述结晶质硅半导体层电连接，

上述第2薄膜晶体管具有：第2栅极电极；氧化物半导体层；第2栅极绝缘层，其配置在上述第2栅极电极和上述氧化物半导体层之间；以及第2源极电极和第2漏极电极，其与上述氧化物半导体层电连接，

上述第1源极电极和上述第1漏极电极隔着第1层间绝缘层设置在上述结晶质硅半导体层之上，并且分别在形成于上述第1层间绝缘层的第1源极接触孔和第1漏极接触孔内与上述结晶质硅半导体层接触，

上述第2源极电极电连接到与上述第1源极电极和上述第1漏极电极由同一导电膜形成的配线，

上述配线隔着第2层间绝缘层设置在上述第2源极电极之上，并且在包含形成于上述第2层间绝缘层的开口的第2接触孔内与上述第2源极电极接触，

上述第2源极电极具有包含主层和配置在上述主层之上的上层的层叠结构，在上述第2层间绝缘层的上述开口的下方，上述上层具有第1开口部，上述主层具有第2开口部或凹部，当从上述基板的法线方向观看时，上述第2开口部或上述凹部比上述第1开口部大。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

上述主层的上述第2开口部或上述凹部的侧面与上述配线不接触。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

上述配线与上述上层的上述第1开口部的侧面接触。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

还具有由上述导电膜形成的、位于上述第2开口部内或上述凹部内的导电层，上述导电层与上述配线电分离。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

上述主层具有上述凹部，上述上层的上述第1开口部使上述凹部的底面的至少一部分露出，

上述配线在上述第2接触孔内与上述凹部的上述底面接触。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

上述第2源极电极还包含位于上述主层的上述基板侧的下层，

上述主层具有上述第2开口部，上述第2开口部使上述下层的一部分露出，

上述配线在上述第2接触孔内与上述下层的露出的部分接触。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，

上述上层的上述第1开口部的侧面与上述配线不接触。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，

上述上层的上述第1开口部的侧面与上述配线不接触。

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

上述上层由与上述主层相比关于氢氟酸的蚀刻率小的材料形成。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

上述主层包含Al或Cu。

11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

上述上层包含Ti或Mo。

12.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

上述第1薄膜晶体管具有顶栅结构，上述第2薄膜晶体管具有底栅结构，上述第1栅极电极和上述第2栅极电极设置于同一层内，

上述第1层间绝缘层包含上述第1栅极绝缘层、上述第2栅极绝缘层以及上述第2层间绝缘层。

13.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

上述氧化物半导体层包含In-Ga-Zn-O系半导体。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，

上述In-Ga-Zn-O系半导体包含结晶质部分。