[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
申请号: | 201780008426.3 | 申请日: | 2017-02-23 |
公开(公告)号: | CN108604546B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 桥本光治 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋晓宝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
1.一种基板处理方法,
包括:
基板保持工序,将基板保持为水平;
液膜形成工序,在保持为水平的所述基板的上表面形成表面张力比水小的低表面张力液体的液膜;
开口形成工序,在低表面张力液体的所述液膜的中央区域形成开口;
液膜排除工序,通过使所述开口扩展,从所述基板的上表面排除所述液膜;
着落点移动工序,一边从供给低表面张力液体的低表面张力液体喷嘴朝向设置于所述开口的外侧的着落点向所述液膜供给低表面张力液体,一边使所述着落点以追随所述开口的扩展的方式移动;以及
干燥区域移动工序,一边使具有俯视时的尺寸比所述基板小的相对面的干燥喷头的所述相对面与设置于所述开口的内侧的干燥区域相对,并在所述相对面和所述干燥区域之间的空间形成湿度比该空间外的湿度低的低湿度空间,一边使所述干燥区域和所述相对面以追随所述开口的扩展的方式移动,
所述干燥喷头是供给非活性气体的非活性气体供给喷头,
所述相对面从所述基板的上表面侧向上方凹陷而形成非活性气体贮留空间,所述非活性气体供给喷头包括向所述非活性气体贮留空间供给非活性气体的非活性气体导入口。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
所述非活性气体供给喷头还包括对所述非活性气体贮留空间进行排气的排气口。
3.一种基板处理方法,
包括:
基板保持工序,将基板保持为水平;
液膜形成工序,在保持为水平的所述基板的上表面形成表面张力比水小的低表面张力液体的液膜;
开口形成工序,在低表面张力液体的所述液膜的中央区域形成开口;
液膜排除工序,通过使所述开口扩展,从所述基板的上表面排除所述液膜;
着落点移动工序,一边从供给低表面张力液体的低表面张力液体喷嘴朝向设置于所述开口的外侧的着落点向所述液膜供给低表面张力液体,一边使所述着落点以追随所述开口的扩展的方式移动;以及
干燥区域移动工序,一边使具有俯视时的尺寸比所述基板小的相对面的干燥喷头的所述相对面与设置于所述开口的内侧的干燥区域相对,并在所述相对面和所述干燥区域之间的空间形成湿度比该空间外的湿度低的低湿度空间,一边使所述干燥区域和所述相对面以追随所述开口的扩展的方式移动,
所述干燥喷头是供给非活性气体的非活性气体供给喷头,
所述相对面是与基板的上表面平行的平坦面,在所述相对面形成有多个非活性气体喷出口,
所述非活性气体供给喷头包括:非活性气体贮留空间,与所述多个非活性气体喷出口连通;以及非活性气体导入口,向所述非活性气体贮留空间供给非活性气体。
4.根据权利要求1或3所述的基板处理方法,其中,
所述干燥喷头包括对所述干燥区域进行加热的加热器单元。
5.一种基板处理方法,
包括:
基板保持工序,将基板保持为水平;
液膜形成工序,在保持为水平的所述基板的上表面形成表面张力比水小的低表面张力液体的液膜;
开口形成工序,在低表面张力液体的所述液膜的中央区域形成开口;
液膜排除工序,通过使所述开口扩展,从所述基板的上表面排除所述液膜;
着落点移动工序,一边从供给低表面张力液体的低表面张力液体喷嘴朝向设置于所述开口的外侧的着落点向所述液膜供给低表面张力液体,一边使所述着落点以追随所述开口的扩展的方式移动;以及
干燥区域移动工序,一边使具有俯视时的尺寸比所述基板小的相对面的干燥喷头的所述相对面与设置于所述开口的内侧的干燥区域相对,并在所述相对面和所述干燥区域之间的空间形成湿度比该空间外的湿度低的低湿度空间,一边使所述干燥区域和所述相对面以追随所述开口的扩展的方式移动,
所述相对面从所述基板的上表面侧向上方凹陷而形成干燥室,在所述干燥室的顶部包括对所述干燥区域进行加热的加热器单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造