[发明专利]耳机中的压力均衡有效
申请号: | 201780008460.0 | 申请日: | 2017-01-27 |
公开(公告)号: | CN108605178B | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | R·C·西尔维斯特里;J·H·卡特尔 | 申请(专利权)人: | 伯斯有限公司 |
主分类号: | H04R1/10 | 分类号: | H04R1/10;H04R1/28 |
代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华;李春辉<国际申请>=PCT/US |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声学室 声学换能器 声耦合 耳机 声阻材料 压力均衡 | ||
1.一种耳机,包括:
声学换能器;
外壳,所述外壳包括:
第一声学室,声耦合到所述声学换能器的第一侧;
第二声学室,声耦合到所述声学换能器的第二侧;以及
端口,将所述第一声学室和所述第二声学室声耦合,其中所述端口具有范围从0.4×10-6m2到40×10-6m2的截面面积;以及
声阻材料,被定位在所述端口内部,
其中所述声阻材料的位置和所述端口的所述截面面积的组合使得:所述耳机在低频处的频率响应是线性的。
2.根据权利要求1所述的耳机,其中所述端口的长度的范围从0.1毫米到10毫米。
3.根据权利要求1所述的耳机,其中所述声阻材料具有范围从10MKS Rayls到20,000MKS Rayls的阻抗。
4.根据权利要求1所述的耳机,其中所述声阻材料包括以下中的至少一项:塑料、纺织物、金属、可渗透材料、编织材料、屏材料和网材料。
5.根据权利要求1所述的耳机,其中有源噪声消除电路经由线被耦合到所述外壳。
6.根据权利要求1所述的耳机,其中所述第一声学室通过所述声学换能器与所述第二声学室分开。
7.根据权利要求1所述的耳机,其中在低于100Hz的频率,所述耳机的频率响应在高信号值和低信号值处相同。
8.根据权利要求1所述的耳机,其中在10Hz到100Hz之间的频率,在低信号值处的所述耳机的频率响应和在高信号值处的所述耳机的频率响应的差异小于3dB。
9.根据权利要求1所述的耳机,其中所述端口提供在高频的所述声学换能器的频率响应中的阻尼。
10.一种设备,包括:
声学换能器;
有源噪声消除电路;
外壳,所述外壳包括:
第一声学室,至少部分地包围所述声学换能器;以及
端口,在所述第一声学室附近,其中所述端口具有被定位在所述端口内部的声阻材料,并且具有范围从0.4×10-6m2到40×10-6m2的截面面积,并且其中所述声阻材料的位置和所述端口的所述截面面积的组合使得:在低于100Hz的频率,所述耳机的频率响应在高信号值和低信号值处相同。
11.根据权利要求10所述的设备,其中所述端口将所述第一声学室声耦合到所述耳机的外部环境。
12.根据权利要求10所述的设备,其中所述端口将所述第一声学室声耦合到第二声学室。
13.根据权利要求10所述的设备,其中所述端口的长度的范围从0.1毫米到10毫米。
14.根据权利要求10所述的设备,其中所述声阻材料具有范围从10MKS Rayls到20,000MKS Rayls的阻抗。
15.根据权利要求10所述的设备,其中所述声阻材料包括以下中的至少一项:塑料、纺织物、金属、可渗透材料、编织材料、屏材料和网材料。
16.根据权利要求10所述的设备,其中在低频,所述耳机的频率响应是线性的。
17.根据权利要求10所述的设备,其中在10Hz到100Hz之间的频率,在低信号值处的所述耳机的频率响应和在高信号值处的所述耳机的频率响应的差异小于3dB。
18.根据权利要求10所述的设备,其中所述端口提供在高频的所述声学换能器的频率响应中的阻尼。
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