[发明专利]离子束装置中污染控制的装置、系统和方法有效

专利信息
申请号: 201780008729.5 申请日: 2017-01-06
公开(公告)号: CN108604523B 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 亚历山大·利坎斯奇;杰·T·舒尔;威廉·戴维斯·李 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01J37/248 分类号: H01J37/248;H01J37/317
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨文娟;臧建明
地址: 美国麻萨诸塞*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 离子束 装置 污染 控制 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种离子束装置中污染控制的装置,其特征在于,包括:

产生离子束的离子源,所述离子源耦合到第一电压;

停止元件,其安置于所述离子源与衬底位置之间;

停止电压供应器,其耦合到所述停止元件;以及

控制组件,其引导所述停止电压供应器以将停止电压施加到所述停止元件,当所述离子束包括正离子时,所述停止电压等于所述第一电压或比所述第一电压更加偏正,且当所述离子束包括负离子时,所述停止电压等于所述第一电压或比所述第一电压更加偏负,

其中,当将所述停止电压施加到所述停止元件时,所述离子束的至少一部分从初始轨迹向后经偏转为经偏转的离子。

2.根据权利要求1所述的离子束装置中污染控制的装置,其特征在于,所述停止元件包括经配置为第一对的棒电极,所述电极安置于静电过滤器中,所述静电过滤器进一步包括至少一个额外电极,所述至少一个额外电极包括第二对的棒且安置于所述停止元件的上游,其中所述至少一个额外电极包含非暴露于所述离子束的遮蔽表面区,其中所述遮蔽表面区拦截所述经偏转的离子。

3.根据权利要求2所述的离子束装置中污染控制的装置,其特征在于,所述静电过滤器包括入口电极和安置于所述入口电极下游的出口电极,且其中所述停止元件安置于所述入口电极与所述出口电极的中间。

4.一种离子束装置中污染控制的系统,其特征在于,包括:

产生离子束的离子源,所述离子源耦合到第一电压;

衬底平台,其安置于所述离子源的下游,所述衬底平台用以容纳衬底;

至少一个束线组件,其用以将所述离子束引导为朝向所述衬底平台的初级离子束;

停止元件,其安置于所述离子源的下游;

停止电压供应器,其耦合到所述停止元件;以及

控制组件,其引导所述停止电压供应器以将停止电压施加到所述停止元件,当所述初级离子束包括正离子时,所述停止电压等于所述第一电压或比所述第一电压更加偏正,且当所述初级离子束包括负离子时,所述停止电压等于所述第一电压或比所述第一电压更加偏负,

其中,当将所述停止电压施加到所述停止元件时,所述初级离子束的至少一部分离开所述衬底向后经偏转为经偏转的离子。

5.根据权利要求4所述的离子束装置中污染控制的系统,其特征在于,所述停止元件包括经配置为第一对的棒电极,所述电极安置于静电过滤器中,所述静电过滤器进一步包括至少一个额外电极,所述至少一个额外电极包括第二对的棒且安置于所述停止元件的上游,其中所述至少一个额外电极包含非暴露于所述初级离子束的遮蔽表面区,其中所述遮蔽表面区拦截所述经偏转的离子。

6.根据权利要求5所述的离子束装置中污染控制的系统,其特征在于,所述静电过滤器包括入口电极和安置于所述入口电极下游的出口电极,且其中所述停止元件安置于所述入口电极与所述出口电极的中间。

7.根据权利要求5所述的离子束装置中污染控制的系统,其特征在于,进一步包括:

气体源,其安置于所述停止元件与所述衬底平台之间,其中反应性物质从所述气体源经引导到所述遮蔽表面区。

8.根据权利要求5所述的离子束装置中污染控制的系统,其特征在于,进一步包括:

等离子体源,其安置于所述停止元件与所述衬底平台之间;其中所述控制组件包含用以发送信号的逻辑,以当将所述停止电压施加到所述停止元件时,在所述等离子体源中产生等离子体,且其中第二离子束从所述等离子体源中提取且经引导到所述静电过滤器。

9.根据权利要求4所述的离子束装置中污染控制的系统,其特征在于,所述停止元件包括安置于所述衬底平台上用以固持所述衬底的衬底固持器。

10.根据权利要求4所述的离子束装置中污染控制的系统,其特征在于,所述初级离子束包括反应性离子。

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