[发明专利]用于写零操作的技术有效

专利信息
申请号: 201780009798.8 申请日: 2017-01-16
公开(公告)号: CN108604167B 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: S·汤米施玛;K·S·贝恩斯 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/02
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 操作 技术
【权利要求书】:

1.一种用于写零操作的装置,包括:

存储器设备的控制器,其包括逻辑,所述逻辑的至少一部分包括硬件,所述逻辑用于:

转发写0命令,以使得所述存储器设备的存储器区块中的所有位值具有值0;

使得到所述存储器区块的所有全局输入/输出(GIO)具有GIO值0;以及

使得由所述存储器设备针对所述存储器区块对所有列选择线(CSL)进行内部激活,对所有CSL进行的所述内部激活使得在由所述存储器设备对写入线进行内部激活之前所述GIO值0被写入所述存储器区块的第一部分。

2.根据权利要求1所述的装置,还包括所述逻辑用于:

使得到所述存储器区块的所有/GIO具有值1,以使针对所述存储器区块对所有CSL进行的所述内部激活使得在由所述存储器设备对所述写入线进行内部激活之前所述/GIO值1被写入所述存储器区块的第二部分。

3.根据权利要求1所述的装置,所述存储器区块包括所述存储器设备的存储体。

4.根据权利要求1所述的装置,包括:所述存储器设备包括非易失性存储器或易失性存储器,其中,所述易失性存储器包括动态随机存取存储器(DRAM),并且所述非易失性存储器包括3维交叉点存储器、使用硫族化物相变材料的存储器、多阈值水平NAND闪速存储器、NOR闪速存储器、单级或多级相变存储器(PCM)、电阻式存储器、双向存储器、纳米线存储器、铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)、包含忆阻器技术的磁阻随机存取存储器(MRAM)存储器或自旋移矩MRAM(STT-MRAM)。

5.一种用于写零操作的方法,包括:

在存储器设备的控制器处转发写0命令,以使得所述存储器设备的存储器区块中的所有位值具有值0;

使得到所述存储器区块的所有全局输入/输出(GIO)具有GIO值0;以及

使得由所述存储器设备针对所述存储器区块对所有列选择线(CSL)进行内部激活,对所有CSL进行的所述内部激活使得在由所述存储器设备对写入线进行内部激活之前所述GIO值0被写入所述存储器区块的第一部分。

6.根据权利要求5所述的方法,包括:

使得到所述存储器区块的所有/GIO具有值1,以使针对所述存储器区块对所有CSL进行的所述内部激活使得在由所述存储器设备对所述写入线进行内部激活之前所述/GIO值1被写入所述存储器区块的第二部分。

7.根据权利要求5所述的方法,所述存储器区块包括所述存储器设备的存储体。

8.一种机器可读介质,包括多个指令,所述多个指令响应于由系统执行而使得所述系统执行根据权利要求5至7中任一项所述的方法。

9.一种用于写零操作的装置,包括:

存储器设备的控制器,其包括逻辑,所述逻辑的至少一部分包括硬件,所述逻辑用于:

转发写0命令,以使得所述存储器设备的一个或多个存储器区块存储值0;以及

使得由所述存储器设备针对所述一个或多个存储器区块对列选择线(CSL)进行内部激活,对所述CSL进行的所述内部激活以顺序方式发生,直到所述一个或多个存储器区块的所有列已经被激活并且所述一个或多个存储器区块存储值0。

10.根据权利要求9所述的装置,包括:所述逻辑用于基于使用对由所述存储器设备内部激活的CSL的列计数,使得对CSL进行的所述内部激活以所述顺序方式发生。

11.根据权利要求10所述的装置,使用所述列计数使得对CSL进行的所述内部激活以所述顺序方式发生包括:所述列计数使得对CSL进行的顺序内部激活发生,以使在对CSL进行的所述顺序内部激活的每次迭代中至少两个CSL被激活,直到所述一个或多个存储器区块的所有列已经被激活并且所述一个或多个存储器区块存储值0。

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