[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
申请号: | 201780009904.2 | 申请日: | 2017-01-20 |
公开(公告)号: | CN108604547B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 高木康弘;梅野慎一;永井高志;守田寿;绪方信博;高松祐助;东岛治郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
实施方式所涉及的基板处理装置具备贮存容器、基板处理部、回收路径、废弃路径、供给路径、切换部和切换控制部。回收路径使供给到基板处理部的混合液返回到贮存容器。废弃路径将所供给的混合液废弃到贮存容器以外的场所。切换部使所供给的混合液的流入目的地在回收路径与废弃路径之间切换。切换控制部对切换部进行控制,使得在从基板处理部开始供给混合液起到第一时间经过的期间,使所供给的混合液向废弃路径流入,在第一时间经过后且到基于预先决定的回收率决定的第二时间经过为止的期间,使所供给的混合液向回收路径流入,在从第二时间经过起到混合液的供给结束为止的期间,使所供给的混合液向废弃路径流入。
技术领域
本公开的实施方式涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
以往,已知一种使用将第一处理液与第二处理液混合而成的混合液来对半导体晶圆、玻璃基板等基板进行处理的基板处理装置。
在这种基板处理装置中,为了抑制第一处理液的消耗量,有时通过使已使用的混合液返回到贮存第一处理液的容器来进行回收并再利用第一处理液。
在回收的混合液中包含第二处理液,因此通过重复上述回收和再利用,容器内的第一处理液的浓度逐渐下降。因此,近年来,提出了如下的方法:将使用后的混合液中的一部分回收其余部分废弃,向容器补充与废弃的混合液等量的第一处理液,由此抑制第一处理液的浓度下降(参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2013-207207号公报
发明内容
然而,若不高精度地回收被使用的混合液,则存在容器内的第一处理液无法成为期望的浓度的担忧。
实施方式的一个方式的目的在于提供一种能够高精度地回收混合液以使得用于对基板进行处理的第一处理液成为期望的浓度的基板处理装置和基板处理方法。
实施方式的一个方式所涉及的基板处理装置具备贮存容器、基板处理部、回收路径、废弃路径、供给路径、切换部和切换控制部。贮存容器用于贮存第一处理液。基板处理部通过将第二处理液与从贮存容器供给的第一处理液的混合液向基板供给来对基板进行处理。回收路径用于使供给到基板处理部的混合液返回到贮存容器。废弃路径用于将所供给的混合液废弃到贮存容器以外的场所。供给路径用于将第一处理液供给到贮存容器。切换部使所供给的混合液的流入目的地在回收路径与废弃路径之间切换。切换控制部对切换部进行控制,使得在从基板处理部开始向基板供给混合液起到第一时间经过为止的期间,使所供给的混合液向废弃路径流入,在第一时间经过后且到基于预先决定的回收率决定的第二时间经过为止的期间,使所供给的混合液向回收路径流入,在从第二时间经过起到混合液的供给结束为止的期间,使所供给的混合液向废弃路径流入。
根据实施方式的一个方式,能够高精度地回收混合液来使用于对基板进行处理的第一处理液成为期望的浓度。
附图说明
图1是表示第一实施方式所涉及的基板处理系统中的处理液供给系统的概要结构的图。
图2是表示第一实施方式所涉及的基板处理方法的一例的图。
图3是表示第一实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。
图4是表示处理单元的概要结构的图。
图5是表示第一实施方式所涉及的基板处理系统中的处理液供给系统的具体结构例的图。
图6是表示第一实施方式所涉及的处理单元执行的基板处理的过程的一例的流程图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造