[发明专利]电流熔断器有效
申请号: | 201780009949.X | 申请日: | 2017-01-30 |
公开(公告)号: | CN108604519B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 米田吉弘 | 申请(专利权)人: | 迪睿合株式会社 |
主分类号: | H01H85/08 | 分类号: | H01H85/08;H01H85/06;H01H85/157 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 肖日松;刘林华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 熔断器 | ||
1.一种电流熔断器,具有:
两个卡合端子部;以及
设置于所述卡合端子部之间的熔断部,
所述熔断部由可熔导体形成,该可熔导体是使低熔点金属和熔点比所述低熔点金属更高的第一高熔点金属层叠而成的, 关于所述可熔导体,所述低熔点金属的体积比所述第一高熔点金属的体积更大,
所述可熔导体在两个所述卡合端子部上用焊料连接,所述低熔点金属层的熔点为所述焊料的连接温度以下,
所述可熔导体中的铅含有率为1000ppm(重量)以下,
所述可熔导体由于过电流所导致的自发热而所述低熔点金属熔融,熔融的所述低熔点金属浸蚀所述第一高熔点金属,在比所述高熔点金属的熔点更低的温度下熔断。
2.根据权利要求1所述的电流熔断器,其特征在于,所述可熔导体和所述两个卡合端子部通过熔接而连接。
3.根据权利要求1所述的电流熔断器,其特征在于,所述卡合端子部和所述熔断部由所述可熔导体形成。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的电流熔断器,其特征在于,所述可熔导体是使所述第一高熔点金属层叠于至少所述低熔点金属的表面和背面两表面而成的层叠体。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的电流熔断器,其特征在于,所述低熔点金属是Sn或以Sn作为主要成分的合金,所述第一高熔点金属是Ag、Cu或者以Ag或Cu作为主要成分的合金。
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的电流熔断器,其特征在于,在所述可熔导体,设置有限制变形的变形限制部。
7.根据权利要求6所述的电流熔断器,其特征在于,所述变形限制部是设置于所述低熔点金属的一个或多个孔的侧表面的至少一部分被与所述第一高熔点金属连续的第二高熔点金属覆盖而成的。
8.根据权利要求7所述的电流熔断器,其特征在于,所述孔是贯通孔或非贯通孔。
9.根据权利要求7所述的电流熔断器,其特征在于,所述孔由所述第二高熔点金属填充。
10.根据权利要求7所述的电流熔断器,其特征在于,所述孔的形状是圆形、椭圆形、圆角长方形或方形。
11.根据权利要求6所述的电流熔断器,其特征在于,所述变形限制部是将熔点比所述低熔点金属更高的第一高熔点粒子掺合于所述低熔点金属中而成的。
12.根据权利要求6所述的电流熔断器,其特征在于,所述变形限制部是使熔点比所述低熔点金属更高的第二高熔点粒子压入所述低熔点金属中而成的。
13.根据权利要求6所述的电流熔断器,其特征在于,所述变形限制部是使熔点比所述低熔点金属更高的第二高熔点粒子压入所述第一高熔点金属和所述低熔点金属的层叠体中而成的。
14.根据权利要求6所述的电流熔断器,其特征在于,所述变形限制部是在所述可熔导体与所述卡合端子部的连接中,抑制所述可熔导体的熔融的所述低熔点金属的流动,抑制所述可熔导体的变形和电阻值变动。
15.根据权利要求6所述的电流熔断器,其特征在于,所述变形限制部抑制在所述可熔导体的一部分成形的两个所述卡合端子部的螺丝紧固压力所导致的变形。
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