[发明专利]保护膜形成用复合片

说明书

本发明提供一种可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜、具有良好的切割适性、且具备能量射线固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。本发明的保护膜形成用复合片1A在支撑片10上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜13，对所述保护膜形成用膜13照射能量射线从而制成保护膜时，所述保护膜与所述支撑片10之间的粘着力为100～2000mN/25mm。

技术领域

本发明涉及一种保护膜形成用复合片。

本申请基于2016年4月28日在日本提出申请的日本特愿2016-092032号主张优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

近年来，正在进行着应用了所谓的被称作倒装(face down)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，所述电极与基板接合。因此，与半导体芯片的电路面相反侧的背面有时会露出。

在该露出的半导体芯片的背面形成有作为保护膜的包含有机材料的树脂膜，有时将其作为带保护膜的半导体芯片而装入半导体装置。为了防止在切割工序或封装后在半导体芯片上产生裂纹从而利用保护膜。

为了形成这样的保护膜，例如使用一种在支撑片上具备用于形成保护膜的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。在保护膜形成用复合片中，保护膜形成用膜可通过固化而形成保护膜，还可将支撑片用作切割片，可制成保护膜形成用膜与切割片一体化的保护膜形成用复合片。

作为这样的保护膜形成用复合片，例如迄今为止主要使用了具备通过加热而进行固化并由此形成保护膜的热固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。此时，例如利用热固化性的保护膜形成用膜将保护膜形成用复合片贴附于半导体晶圆的背面(与电极形成面相反侧的面)后，通过加热使保护膜形成用膜固化从而制成保护膜，通过切割将半导体晶圆与保护膜一同分割从而制成半导体芯片。然后，保持贴附有该保护膜的状态，将半导体芯片从支撑片上分离并进行拾取。

然而，热固化性的保护膜形成用膜的加热固化通常需要数小时左右的长时间，因此期望缩短固化时间。对此，正在研究将可通过紫外线等能量射线的照射而固化的保护膜形成用膜用于保护膜的形成。例如，已经公开了形成在剥离膜上的能量射线固化型保护膜(参照专利文献1)、及能够形成高硬度且对半导体芯片的密着性优异的保护膜的能量射线固化型芯片保护用膜(参照专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5144433号公报

专利文献2：日本特开2010-031183号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

然而，使用专利文献1中公开的能量射线固化型保护膜形成用膜、或专利文献2中公开的能量射线固化型芯片保护用膜时，由于照射紫外线等能量射线而使膜固化从而制成保护膜后，使用切割刀进行切割时，保护膜与支撑片剥离，因此存在背面具备保护膜的半导体芯片从支撑片上飞散、或切削水渗透至保护膜与支撑片之间的技术问题。

因此，本发明提供一种可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜、具有良好的切割适性、且具备能量射线固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。

解决技术问题的技术手段

为了解决上述技术问题，本发明提供一种保护膜形成用复合片，其在支撑片上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜，对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而制成保护膜时，所述保护膜与所述支撑片之间的粘着力为100～2000mN/25mm。

在本发明的保护膜形成用复合片中，优选所述支撑片具有粘着剂层，所述保护膜形成用膜与所述粘着剂层直接接触。

进一步优选本发明的保护膜形成用复合片的所述粘着剂层为非能量射线固化性。