[发明专利]双极化天线

权利要求书

1.一种双极化天线，包括偶极子辐射器(1)、谐振腔辐射器(2)和反射器(3)，

其特征在于，

所述谐振腔辐射器(2)布置在所述反射器(3)下方并通过所述反射器中的缝隙(4)进行辐射，并且所述偶极子辐射器(1)布置在所述反射器(3)上方，所述偶极子辐射器(1)的信号线(5)延伸穿过所述缝隙(4)，或者所述偶极子辐射器(1)的信号线(5)和载体(19)延伸穿过所述缝隙(4)。

2.根据权利要求1所述的双极化天线，其中，通过延伸穿过所述缝隙的信号线(5)，所述偶极子辐射器(1)电连接到布置在所述反射器下方的馈电点(20)，和/或其中，通过所述载体(19)，所述偶极子辐射器(1)机械地保持在布置于所述反射器下方的紧固点处，

和/或其中，所述偶极子辐射器(1)和/或偶极子辐射器的信号线(5)由印刷电路板(19)的金属化部分限定，其中，所述印刷电路板从所述谐振腔辐射器(2)的腔体(8)向上延伸穿过所述缝隙(4)，其中，所述印刷电路板包括所述偶极子辐射器(1)的馈电点(20)和/或用于紧固到限定空腔谐振器的腔体(8)的壳体(9、10、11)的一个或多个机械紧固点，和/或其中，所述印刷电路板的金属化部分还包括阻抗匹配装置和/或滤波器结构和/或混合耦合器和/或平衡-不平衡变换器和/或场对称结构，用于对对称和/或差分天线进行馈电，

和/或其中，所述偶极子辐射器(1)和/或所述偶极子辐射器的信号线(5)和/或载体由金属片结构和/或空气管道限定，其中，所述金属片结构的基部区域限定所述偶极子辐射器的信号线(5)和/或所述偶极子辐射器(1)的载体，并且从所述辐射器(2)的腔体(8)向上延伸穿过所述缝隙(4)，和/或其中，所述金属片结构的头部区域限定所述偶极子辐射器(1)，

和/或设置所述空腔谐振器的激励结构(7)，所述激励结构(7)在所述谐振腔辐射器(2)的腔体(8)内部延伸，其中设置限定所述激励结构(7)的两个导体，所述激励结构(7)和所述导体分别垂直于所述缝隙的长度轴线和/或平行于所述反射器的平面延伸，和/或其中，所述导体是同轴电缆(24)的内部导体(23)和外部导体，和/或其中，所述导体是空气波导，和/或其中，所述导体由印刷电路板(30)的金属化部分(31、33)限定，其中进一步地，第一导体(23、31)沿其延伸部的第一部分平行于第二导体(33、24)延伸，并与所述第二导体一起限定闭合或开放波导，并且沿第二部分自由延伸，和/或其中，一个导体或两个导体与所述谐振器的侧壁(9)电耦合。

3.根据权利要求2所述的双极化天线，其中，所述谐振腔辐射器的激励结构(7)或所述激励结构(7)的至少一个导体延伸穿过所述载体的开口(28、37、44、45)，或延伸穿过承载所述偶极子辐射器(1)和/或所述偶极子辐射器的信号线(5)的印刷电路板(19、29)中或限定这些部件的金属片结构中的开口，所述开口闭合或向外打开，和/或其中，所述激励结构(7)、或所述谐振腔辐射器的激励结构(7)的两个导体穿过所述空腔谐振器的腔体的侧壁(9)延伸到所述腔体中。

4.根据权利要求2或3所述的双极化天线，其中，所述偶极子辐射器(1)的馈电点(20)在所述谐振腔辐射器的腔体(8)中或所述腔体的底部区域中布置在所述谐振腔辐射器的激励结构(7)下方，或者布置在所述谐振腔辐射器的腔体(8)的外部并且布置在所述腔体(8)下方，和/或其中，同轴电缆(21)在所述偶极子辐射器的馈电点(20)中与布置在印刷电路板上或由金属片结构限定的线接触。

5.根据权利要求2或3所述的双极化天线，其中，所述激励结构(7)包括至少一个金属匹配结构和/或辐射器结构，其中，所述匹配结构和/或所述辐射器结构朝向外侧扩大所述激励结构的导体的宽度，和/或其中，所述匹配结构和/或所述辐射器结构包括金属体(25)，其中，至少一个金属体布置在所述空腔谐振器的激励结构周围，其中，金属体(25、26)布置在所述激励结构(7)的两个导体(22、23)周围，所述金属体(25、26)包括圆柱形和/或锥形部分，和/或其中，所述匹配结构和/或所述辐射器结构限定偶极子辐射器，该偶极子辐射器激励所述谐振腔辐射器，和/或其中，所述匹配结构和/或所述辐射器结构用作寄生元件。