[发明专利]接收器模块

权利要求书

1.一种接收器模块(EM)，其具有：

数量N个彼此串联连接的、构造成半导体二极管的部分电压源，使得所述数量N个部分电压源产生源电压，其中，所述部分电压源中的每个具有带有p-n结的半导体二极管(D1，D2，D3，D4，D5)，并且所述半导体二极管(D1，D2，D3，D4，D5)具有p掺杂的吸收层，其中，所述p型吸收层由p掺杂的钝化层钝化，所述钝化层具有比所述p型吸收层的带隙更大的带隙，并且所述半导体二极管(D1，D2，D3，D4，D5)具有n型吸收层，其中，所述n型吸收层由n掺杂的钝化层钝化，所述钝化层具有比所述n型吸收层的带隙更大的带隙，

分别在两个彼此相继的部分电压源之间构造有隧道二极管(T1，T2；T3，T4)，其中，

所述部分电压源与所述隧道二极管(T1，T2，T3，T4)一起单片地集成并且共同构成具有上侧和下侧的第一堆叠(ST1)，所述部分电压源的数量N大于等于2，

在所述第一堆叠(ST1)上，光(L)在所述上侧处照射到所述第一堆叠(ST1)的表面(OB)上，所述第一堆叠(ST1)在所述表面(OB)上具有第一电接通部并且在所述下侧上具有第二电接通部，

所述第一堆叠(ST1)具有小于12μm的总厚度，

所述堆叠布置在半导体衬底上，所述半导体二极管的半导体材料由III-V族材料构成，

其特征在于，

所述接收器模块(EM)的衬底包括锗或砷化镓，

在所述接收器模块(EM)的所述第一堆叠(ST1)的下侧附近构造有环绕的、凸肩状的边缘，

所述隧道二极管(T1，T2，T3，T4)在所述半导体二极管(D1，D2，D3，D4，D5)之间具有多个半导体层，所述多个半导体层具有比所述半导体二极管(D1，D2，D3，D4，D5)的p/n型吸收层的带隙更大的带隙，

各个部分电压源的部分源电压彼此具有小于20％的偏差，并且

所述半导体衬底与所述堆叠以及所述晶体管单片地连接，其中，所述晶体管的控制输入端与所述两个电接通部中的一个连接，

所述接收器模块(EM)不具有量子阱结构。

2.根据权利要求1所述的接收器模块(EM)，其特征在于，所述晶体管布置在所述第一堆叠(ST1)的表面上或与所述第一堆叠侧向相邻地布置。

3.根据权利要求1或2所述的接收器模块(EM)，其特征在于，所述晶体管布置在所述第一堆叠与所述衬底之间。

4.根据权利要求1至3中任一项或多项所述的接收器模块(EM)，其特征在于，在所述晶体管与所述第一堆叠(ST1)之间构造有一距离。

5.根据权利要求1至4中任一项或多项所述的接收器模块(EM)，其特征在于，所述晶体管构造成集成电路的一部分。

6.根据权利要求1至5中任一项或多项所述的接收器模块(EM)，其特征在于，所述堆叠上侧上的被照射到的表面(OB)的大小基本上相应于所述第一堆叠(ST1)在上侧上的面的大小。

7.根据权利要求1至6中任一项或多项所述的接收器模块(EM)，其特征在于，在300K的情况下，只要借助具有确定波长的光(L)照射所述第一堆叠(ST1)，则所述第一堆叠(ST1)具有大于2.3伏特的源电压(VQ1)，其中，在从所述第一堆叠(ST1)的上侧到所述堆叠的下侧的光入射方向上，半导体二极管的p型和n型吸收层的总厚度从最上面的二极管(D1)向最下面的二极管(D3-D5)增大。

8.根据权利要求1至7中任一项或多项所述的接收器模块(EM)，其特征在于，所述接收器模块(EM)的所述部分电压源的部分源电压彼此具有小于10％的偏差。

9.根据权利要求1至8中任一项或多项所述的接收器模块(EM)，其特征在于，所述接收器模块(EM)的所述半导体二极管(D1，D2，D3，D4，D5)分别具有相同的半导体材料。