[发明专利]减少表面缺陷的方法

权利要求书

1.一种除去强化基材中的含缺陷区域的方法，所述方法包括：

将包含至少一种一价盐的盐浴加热至高于或等于95℃的温度；

使强化基材的至少一部分与所述盐浴接触，其中，在所述强化基材与所述盐浴接触之前，所述强化基材具有一个或更多个无缺陷区域和至少一个含缺陷区域，其中，所述无缺陷区域具有总金属一价阳离子平均浓度，所述含缺陷区域具有与所述一个或更多个无缺陷区域的所述平均浓度相差大于或等于10摩尔％的总金属一价阳离子平均浓度，其中，所述平均浓度是指给定区域中所存在的每一种单独类型的金属一价阳离子相比于该给定区域中所有单独金属一价阳离子总和的平均浓度；

从所述盐浴中取出所述强化基材的所述至少一部分，且取出后，所述至少一个含缺陷区域具有与所述一个或更多个无缺陷区域的所述总金属一价阳离子平均浓度相差小于10摩尔％的总金属一价阳离子平均浓度，

其中，所述强化基材在与所述盐浴接触之前具有大于或等于0.002μm的算数平均粗糙度(Ra)，且从所述盐浴中取出后具有小于0.002μm的Ra，所述Ra在尺寸为0.18mm×0.13mm的区域中测得。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述强化基材与所述盐浴接触之前，所述至少一个含缺陷区域的所述平均浓度包含大于或等于60摩尔％的第一金属一价阳离子；从所述盐浴中取出所述强化基材的所述至少一部分之后，所述至少一个含缺陷区域的所述平均浓度包含小于60摩尔％的所述第一金属一价阳离子。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一金属一价阳离子包含碱金属。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述强化基材与所述盐浴接触之前，所述至少一个含缺陷区域具有与所述一个或更多个无缺陷区域的所述金属一价阳离子平均浓度相差大于或等于20％的第一金属一价阳离子浓度。

5.如述权利要求1所述的方法，其特征在于，从所述盐浴中取出所述强化基材的所述至少一部分之后，所述至少一个含缺陷区域具有与所述一个或更多个无缺陷区域的总金属一价阳离子的所述金属一价阳离子平均浓度相差小于5％的第二金属一价阳离子浓度。

6.一种生产无缺陷离子交换基材的方法，所述方法包括：

将包含至少一种一价盐的盐浴加热至高于或等于95℃且小于或等于430℃的温度；

使含缺陷离子交换基材的至少一部分与所述盐浴接触，其中，所述含缺陷离子交换基材具有大于或等于0.002μm的算术平均粗糙度(Ra)，所述Ra在尺寸为0.18mm×0.13mm的区域中测得；以及

从所述盐浴中取出所述离子交换基材的所述至少一部分，以生产Ra小于0.002μm的无缺陷离子交换基材。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述含缺陷离子交换基材包含至少一处高度或深度大于或等于至少1.2nm且宽度或长度大于或等于5μm的缺陷。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述无缺陷离子交换基材不包含高度或深度大于或等于至少8nm且宽度或长度大于或等于0.01mm的缺陷。

9.如权利要求1～8中任一项所述的方法，其特征在于，所述盐浴不包含饱和盐。

10.如权利要求1～8中任一项所述的方法，其特征在于，所述盐浴不包含磷酸盐或钙。

11.如权利要求1～8中任一项所述的方法，其特征在于，所述含缺陷离子交换基材的所述至少一部分与所述盐接触10分钟至40小时。

12.如权利要求1～8中任一项所述的方法，其特征在于，所述盐浴是熔融盐浴，并且在高于或等于360℃且低于或等于430℃的温度下加热所述盐浴。