[发明专利]固态摄像装置

说明书

本技术涉及可以抑制暗电流并抑制画质劣化的固态摄像装置。固态摄像装置设置有像素阵列区域，其中，像素以矩阵形式二维地布置，像素各者包括具有化合物半导体、非晶硅、锗、量子点光电转换膜或有机光电转换膜中的一者的光电转换单元。像素阵列区域在其最外周或有效像素区域的外侧具有电压施加像素，该电压施加像素是始终施加有固定电压的像素。本技术例如能够应用于固态摄像装置等。

技术领域

本技术涉及一种固态摄像装置，特别地，涉及一种抑制暗电流，从而能够抑制画质劣化的固态摄像装置。

背景技术

将诸如InGaAs等化合物半导体用作光电转换单元的固态摄像装置采用以下结构，其中，形成光电转换单元的第一基板和形成用于读出累积电荷的读出电路的第二基板通过凸块或电极连接在一起(例如，参见专利文献1)。

[引用列表]

[专利文献]

[专利文献1]PCT专利公开No.WO2011/089949

发明内容

技术问题

顺便提及，在像素阵列区域的最外周的像素中，受形成光电转换单元的化合物半导体的加工部界面的影响，暗电流容易劣化。特别地，在读出电路为源极跟随器类型的电路中，随着电荷的累积，像素的电位差减小，暗电流分量会溢出(blooming)，从而依次影响相邻像素。为了避免这种影响，需要许多无效像素，这会导致芯片面积增加或成本增加。

另外，在有效像素区域与用于检测黑电平的光学黑体(OPB：Optical Black)区域之间的边界处的像素中，当照射高照度的光时，与最外周的像素的情况相同，有效像素的溢出现象可能对OPB像素产生影响。为了避免这种影响，仍然需要许多无效像素，这会导致芯片面积增加或成本增加。

本技术是鉴于上述情况而作出的，并且本技术可以抑制暗电流，从而抑制画质劣化。

[解决问题的方案]

根据本技术的第一方面的固态摄像装置包括像素阵列区域，在像素阵列区域中，像素以行和列的形式二维地布置，像素各者包括光电转换单元，光电转换单元具有化合物半导体、非晶硅、锗、量子点光电转换膜或有机光电转换膜中的一者，其中，像素阵列区域具有电压施加像素，电压施加像素位于像素阵列区域的最外周或位于相对于像素阵列区域的有效像素区域的外侧，电压施加像素是始终施加有固定电压的像素。

在本技术的第一方面中，设置有像素阵列区域，在像素阵列区域中，多个像素以行和列的方式二维地布置，像素各者包括光电转换单元，光电转换单元具有化合物半导体、非晶硅、锗、量子点光电转换膜或有机光电转换膜中的一者，并且在像素阵列区域的最外周处或相对于像素阵列区域的有效像素区域的外侧设置有电压施加像素，电压施加像素是始终施加有固定电压的像素。

根据本技术的第二方面的固态摄像装置包括像素阵列区域，在像素阵列区域中，像素以行和列的方式二维地布置，像素各者包括光电转换单元，光电转换单元具有化合物半导体、非晶硅、锗、量子点光电转换膜或有机光电转换膜中的一者，其中，像素阵列区域具有电压施加像素，电压施加像素位于像素阵列区域的有效像素与OPB像素之间，电压施加像素是始终施加有固定电压的像素。

在本技术的第二方面中，设置有像素阵列区域，在像素阵列区域中，像素以行和列的方式二维地布置，像素各者包括光电转换单元，光电转换单元具有化合物半导体、非晶硅、锗、量子点光电转换膜或有机光电转换膜中的一者。在像素阵列区域的有效像素与OPB像素之间设置有电压施加像素，电压施加像素是始终施加有固定电压的像素。

根据本技术的第三方面的固态摄像装置包括像素阵列区域，在像素阵列区域中，像素以行和列的方式二维地布置，像素各者包括光电转换单元，光电转换单元具有化合物半导体、非晶硅、锗、量子点光电转换膜或有机光电转换膜中的一者，其中，在光电转换单元的加工部端面上未设置PN结部分，该加工部端面是像素阵列区域的最外周。