[发明专利]固态图像传感器、固态图像传感器的制造方法以及电子设备有效
申请号: | 201780011297.3 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN108701697B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 山岸肇;香川丽菜;小林悠作;西村丰;早渊诚;郷司隼人;青田夏洋 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.固态图像传感器,至少包括:
第一半导体芯片,在所述第一半导体芯片上形成有多个第一导体且形成有像素阵列;和
第二半导体芯片,所述第二半导体芯片接合到所述第一半导体芯片,并且在所述第二半导体芯片上形成有多个第二导体且形成有逻辑电路,
其中,在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的接合面处,所述第一导体和所述第二导体彼此重叠且彼此电气连接,
所述第一导体的与所述接合面的接触面积和所述第二导体的与所述接合面的接触面积彼此不同,并且
所述多个第一导体和所述多个第二导体的排列方向是使得它们相对于形成于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的模拟电路的信号线的方向朝着同一方向倾斜的方向。
2.根据权利要求1所述的固态图像传感器,其中,在所述第一导体和所述第二导体之中,与所述接合面的接触面积较小的导体相对于与所述接合面的接触面积较大的导体的面积比率为70%以上。
3.根据权利要求1所述的固态图像传感器,其中,在所述第一导体和所述第二导体之中,与所述接合面的接触面积较小的导体相对于与所述接合面的接触面积较大的导体的面积比率为60%以上。
4.根据权利要求1所述的固态图像传感器,其中,所述接合面的形成有所述第一导体和所述第二导体的区域被所述第一导体和所述第二导体中的任意者遮蔽。
5.根据权利要求1所述的固态图像传感器,其中,所述接合面的形成有所述第一导体和所述第二导体的区域部分地具有间隙。
6.根据权利要求1所述的固态图像传感器,其中,在所述第一半导体芯片中形成有用于将所述第一导体和所述第二导体的电位固定的配线及连接孔。
7.根据权利要求1所述的固态图像传感器,其中,在所述第二半导体芯片中形成有用于将所述第一导体和所述第二导体的电位固定的配线及连接孔。
8.根据权利要求1所述的固态图像传感器,其中,所述第一导体和所述第二导体均被配置成比形成于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的逻辑电路及配线更靠近所述接合面。
9.根据权利要求1所述的固态图像传感器,其中,形成有所述第一导体和所述第二导体的区域被配置成等于或大于形成有所述像素阵列的区域。
10.固态图像传感器的制造方法,所述方法包括:
制备第一半导体芯片的步骤,在第一半导体芯片上形成多个第一导体且形成像素阵列;
制备第二半导体芯片的步骤,在第二半导体芯片上形成多个第二导体且形成逻辑电路;以及
将形成于所述第一半导体芯片上的所述第一导体和形成于所述第二半导体芯片上的所述第二导体彼此重叠以进行电气连接的步骤,
其中,在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的接合面处,所述第一导体的与所述接合面的接触面积和所述第二导体的与所述接合面的接触面积彼此不同,并且
所述多个第一导体和所述多个第二导体的排列方向是使得它们相对于形成于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的模拟电路的信号线的方向朝着同一方向倾斜的方向。
11.电子设备,包括:
根据权利要求1至9中任一项所述的固态图像传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的