[发明专利]纳米晶体环氧硫醇复合材料和纳米晶体环氧硫醇复合膜

权利要求书

1.一种纳米晶体复合材料，其包含：

a)多个纳米晶体，所述纳米晶体包含含有金属或半导体化合物或其混合物的核、和至少一种配体，其中所述核被至少一种配体包围，

b)聚合物基质，其中所述聚合物基质是通过官能度为2至10的环氧树脂与官能度为2至10的聚硫醇的反应而形成的，

或者

所述聚合物基质是通过官能度为2至10的环氧树脂、官能度为2至10的(甲基)丙烯酸酯与官能度为2至10的聚硫醇的反应而形成的，

以及，其中所述纳米晶体嵌入到所述聚合物基质中。

2.根据权利要求1所述的纳米晶体复合材料，其中所述含有金属或半导体化合物或其混合物的核由选自元素周期表的一个或多个不同族的组合的元素组成，优选地，所述金属或半导体化合物是选自IV族的一种或多种元素的组合；选自II族和VI族的一种或多种元素的组合；选自III族和V族的一种或多种元素的组合；选自IV族和VI族的一种或多种元素的组合；选自I族和III族和VI族的一种或多种元素的组合；或其组合，更优选地，所述金属或半导体化合物选自以下组：Si、Ge、SiC和SiGe、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe、GaN、GaP、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb₃、InN₃、InP、InAs、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、CuInS₂、CuInSe₂、CuGaS₂、CuGaSe₂、AgInS₂、AgInSe₂、AgGaS₂和AgGaSe₂，甚至更优选地，所述金属或半导体化合物选自CdSe、InP及其混合物。

3.根据权利要求1或2所述的纳米晶体复合材料，其中所述核包含核和至少一个单层或多层壳，或者其中所述核包含核和至少两个单层和/或多层壳。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的纳米晶体复合材料，其中所述聚硫醇的官能度为2至6，更优选为2至4，甚至更优选为3至4。