[发明专利]抛光III-V族材料的方法

权利要求书

1.化学-机械地抛光基板的方法，该方法包括：

(a)使含有至少一种III-V族材料且还包含硅氧化物、硅氮化物、或多晶硅、或其组合的基板与抛光垫及化学-机械抛光组合物接触，该化学-机械抛光组合物由水、具有-10mV至-60mV的ζ电势的胶体氧化硅研磨剂颗粒、以及0.01wt.％至5wt.％的量的用于氧化该III-V族材料的氧化剂组成，其中所述胶体氧化硅研磨剂颗粒具有20nm至200nm的平均粒度，其中该抛光组合物具有2至5的pH；

(b)相对于该基板移动该抛光垫及该化学-机械抛光组合物；及

(c)磨除该至少一种III-V族材料、以及该硅氧化物、硅氮化物、或多晶硅的至少一部分以抛光该基板。

2.权利要求1的方法，其中该III-V族材料含有Si、In、P、Ga、As、Ge、N、或其任意组合。

3.权利要求2的方法，其中该III-V族材料含有GaAs、AlAs、GaN、AlN、InN、GaInP、SiGe、InGaAs、InP、或其任意组合。

4.权利要求3的方法，其中该III-V族材料含有GaAs、InGaAs、InP、或其任意组合。

5.权利要求1的方法，其中所述研磨剂颗粒具有-20mV至-30mV的ζ电势。

6.权利要求1的方法，其中所述研磨剂颗粒以该抛光组合物的0.01wt.％至5wt.％的量存在。

7.权利要求1的方法，其中该氧化剂是过氧化氢、胺氧化物、醌、过氧羧酸、超价卤氧化物、过硫酸盐、氧化还原活性金属离子或其配位络合物、或其任意组合。

8.权利要求7的方法，其中该氧化剂是胺氧化物，包括吡啶-N-氧化物、三甲基胺-N-氧化物、2-羟基吡啶N-氧化物、8-羟基喹啉N-氧化物、吡啶甲酸N-氧化物、吡嗪N-氧化物、或其任意组合。

9.权利要求7的方法，其中该氧化剂是醌，包括：2,6-二甲氧基-1,4-苯醌；2,6-二甲基苯醌；萘醌；蒽醌；磺化萘醌，例如，1,2-萘醌-4-磺酸；磺化蒽醌，例如，蒽醌-2-磺酸；1,5-二氨基蒽醌；儿茶酚；或其任意组合。

10.权利要求7的方法，其中该氧化剂是过氧化氢。

11.权利要求1的方法，其中该氧化剂以该抛光组合物的0.01wt.％至1wt.％的量存在。

12.权利要求1的方法，其中该组合物的pH为2.3至5。