[发明专利]面积高效且稳健的静电放电电路

权利要求书

1.一种装置，包括：

焊盘；

第一晶体管，所述第一晶体管与第二晶体管串联耦合并且被耦合至所述焊盘；以及

自偏置电路，所述自偏置电路用于偏置所述第一晶体管以使得所述第一晶体管在静电放电(ESD)事件期间将被弱偏置。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管是n型FinFET。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，包括第一二极管，所述第一二极管经由接地节点被耦合至所述焊盘和所述第二晶体管。

4.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述自偏置电路包括二极管连接的晶体管，所述二极管连接的晶体管具有耦合至所述第一晶体管的源极端子以及耦合至第一功率供给节点的漏极端子。

5.如权利要求3所述的装置，其特征在于，包括第三晶体管，所述第三晶体管与第四晶体管串联耦合并且被耦合至所述焊盘。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第三晶体管和所述第四晶体管是p型FinFET。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述自偏置电路用于偏置所述第三晶体管，以使得所述第三晶体管在所述ESD事件期间将被弱偏置。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述自偏置电路包括二极管连接的晶体管，所述二极管连接的晶体管具有耦合至所述第三晶体管的源极端子以及耦合至第一功率供给节点的漏极端子。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，包括第二二极管，所述第二二极管经由第二功率供给节点被耦合至所述焊盘和所述第四晶体管。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述第二功率供给节点用于供给比所述第一功率供给节点所供给的功率高的功率。

11.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第三晶体管和所述第四晶体管是p型FinFET。

12.一种装置，包括：

第一晶体管；以及

第一局部镇流电阻器，所述第一局部镇流电阻器由沟槽接触(TCN)层形成，所述第一局部镇流电阻器具有第一端子，所述第一端子被耦合至所述第一晶体管的漏极端子或源极端子。

13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述第一晶体管是n型FinFET，并且其中所述晶体管的源极端子被直接或间接耦合至接地节点。

14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述第一局部镇流电阻器具有耦合至焊盘的第二端子。

15.如权利要求14所述的装置，其特征在于，所述第一局部镇流电阻器被耦合至用于冷却的虚设通孔接触节点(VCN)。

16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述虚设通孔被耦合至金属短梢。

17.如权利要求12所述的装置，其特征在于，包括：

第二晶体管，以及

第二局部镇流电阻器，所述第二局部镇流电阻器由TCN层形成，所述第二局部镇流电阻器具有第一端子，所述第一端子被耦合至所述第二晶体管的漏极端子或源极端子。

18.如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述第二晶体管具有源极端子，所述源极端子被直接或间接地耦合至功率供给节点，并且其中所述第二局部镇流电阻器具有耦合至所述焊盘的第二端子，所述第二局部镇流电阻器被耦合至用于冷却的虚设通孔接触节点(TCN)，并且其中所述虚设通孔被耦合至金属短梢。