[发明专利]薄膜晶体管基板和显示面板有效
申请号: | 201780012574.2 | 申请日: | 2017-02-17 |
公开(公告)号: | CN108701720B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 内田诚一;冈田训明;上田直树;佐佐木贵启 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;张艳凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 显示 面板 | ||
阵列基板(11b)具备:栅极配线(19);TFT(17),其具有栅极电极(17a)、沟道部(17d)、源极部(17b)及漏极部(17c),栅极电极(17a)包括栅极配线(19)的一部分,沟道部(17d)包括氧化物半导体膜(24),源极部(17b)连接到沟道部(17d)的一端侧,漏极部(17c)连接到沟道部(17d)的另一端侧,且包括与沟道部(17d)相比电阻较低的氧化物半导体膜(24);像素电极(18),其连接到漏极部(17c);像素PX,其具有TFT(17)和像素电极(18);以及第2层间绝缘膜(27),其与像素电极(18)和漏极部(17c)重叠并且在不与栅极电极(17a)重叠的位置形成有第2开口部(27a)。
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管基板和显示面板。
背景技术
以往,作为液晶显示装置的一例,已知下述专利文献1记载的液晶显示装置。在专利文献1记载的液晶显示装置所具备的薄膜晶体管基板中,源极部由设置于栅极绝缘膜和氧化物半导体膜的上层的源极金属形成,漏极部包括氧化物半导体膜中的低电阻化区域,该低电阻化区域是将包含与栅极区域侧相反的一侧的表面的氧化物半导体膜的一部分低电阻化而成的。
专利文献1:特许第5330603号公报
发明内容
在上述专利文献1记载的液晶显示装置中,栅极电极包括将栅极配线扩宽的部分,并且该栅极电极配置为与用于将像素电极连接到漏极部的接触孔重叠。因此,即使由氧化物半导体膜的低电阻化区域构成了漏极部,由于存在栅极电极所致的遮光区域,所以开口率也不会提高,成为了在实现高清化上的制约。
本发明是鉴于上述这种情况而完成的,其目的在于提高开口率。
本发明的薄膜晶体管基板具备:栅极配线;薄膜晶体管,其至少具有栅极电极、沟道部、源极部及漏极部,上述栅极电极包括上述栅极配线的一部分,上述沟道部包括氧化物半导体膜,且以至少一部分与上述栅极电极重叠的形式配置,上述源极部连接到上述沟道部的一端侧,上述漏极部连接到上述沟道部的另一端侧,且包括与上述沟道部相比电阻较低的上述氧化物半导体膜;像素电极,其至少一部分与上述漏极部重叠,连接到上述漏极部;像素,其至少具有上述薄膜晶体管和上述像素电极;以及绝缘膜,其以介于上述像素电极与上述漏极部之间的形式配置,并且在与上述像素电极和上述漏极部重叠且不与上述栅极电极重叠的位置形成有开口部。
这样,在薄膜晶体管中,当对栅极配线及包括其一部分的栅极电极供应扫描信号时,电荷会经由沟道部从源极部向漏极部移动。由于漏极部通过形成于绝缘膜的开口部连接到像素电极,因此移动到漏极部的电荷会向像素电极移动,从而像素电极被充电。
薄膜晶体管的漏极部包括与沟道部相比电阻较低的氧化物半导体膜,因此若与漏极部包括具有遮光性的导电材料的情况相比,像素中的光的透射光量增加,像素的开口率高。并且,绝缘膜为在不与栅极电极重叠的位置形成有开口部的构成,因此若与如以往那样采用开口部与栅极电极重叠的配置的情况相比,栅极配线和开口部的配置的自由度变高,因而在实现像素的开口率的提高上是更优选的。
作为本发明的薄膜晶体管基板的实施方式,优选下面的构成。
(1)排列配置有多个上述像素,具备介于相邻的上述像素之间的遮光区域,上述栅极配线以与上述遮光区域重叠的形式配置。这样,多个像素由于遮光区域介于相邻的像素之间,所以各自能进行独立的显示。至少一部分成为薄膜晶体管的栅极电极的栅极配线为与遮光区域重叠的配置,因此若与栅极配线为不与遮光区域重叠的配置的情况相比,像素的开口率提高,在实现高清化上是优选的。
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