[发明专利]具有径向偏移接触指的电镀接触环

说明书

一种用于电子处理器的接触环具有多余的接触指，即，比用于接触基板(诸如半导体晶片)上的非常窄的边缘排除区域所需的更多接触指。接触指具有稍微不同的长度，使得它们延伸到不同的径向位置。通过提供多余的接触指，且通过稍微改变接触指的长度，足够数量的接触指与在边缘排除区域中的导电表面接触，以提供良好的电镀结果。

背景技术

诸如硅晶片之类的微电子工件的电镀和电抛光(electropolishing)通常包括将晶片的导电表面浸入液体电解液的浴中。电流通过电解液，导致电解液中的金属离子析出到晶片的表面上，形成镀层或膜。与晶片的导电表面的电连接只能由所谓的边缘排除区域所达成，如产业标准所规定的。边缘排除区域是窄的，在现今的产业标准下通常约为3mm，推荐的未来产业标准为2mm或低于2mm。在过去，已经成功地使用具有多个弹簧状接触指的接触环，以当处理标准晶片时提供与在边缘排除区域中的晶片的电连接。

更新的晶片级封装(WLP)应用使用掩模设计，其提供少至0.1mm(100微米)的边缘排除区域的等效宽度。为了在这样窄的区域进行接触，需要光刻胶的放置(即，将晶片置中)、晶片的尺寸、将晶片置中在接触环中、接触指的制造等必须将公差保持在0.1mm内，以在围绕晶片的周围达成良好的电接触。若接触指只在周围的部分上接触暴露的种晶层，则差的电接触将导致差的电镀均匀性，从而降低装置的产量。当然，提供一种电镀设备，在该电镀设备中所有的接触指可连续地接触0.1mm的边缘排除区域，这是非常困难的。

在类似的WLP电镀应用中，将晶片锯成单个裸片，其经测试以鉴定和丢弃有缺陷的裸片。接着，仅将已知的良好裸片放置在基板上的模塑复合层中，用于进一步处理，基本上作为重新构造的晶片。以这种方式，在制造过程中只有已知的良好的晶粒进一步移动。重新构造的晶片的使用还允许不同类型的晶粒彼此相邻放置，且在随后的处理步骤中达成他们之间的电连接。这种方法对于一些制造工艺也是有益的，诸如多层RDL(再分配层)扇出(Fan-Out)。通常，重新构造的晶片上的模塑复合层产生非常小的边缘排除区域，大约为0.1mm的层级。此外，一些制造工艺(例如多层RDL)可能涉及在每个层上边缘排除为不同的晶片。这些因素在设计电镀设备上提出工程上的挑战。

发明内容

接触环具有多余的接触指，即，比用于接触非常窄的边缘排除区域所需的更多接触指。接触指可具有稍微不同的长度，使得它们延伸到不同的径向位置。通过提供多余的接触指，且通过稍微改变接触指的长度，足够数量的接触指与在边缘排除区域中的导电表面接触，以提供良好的电镀结果。虽然一些接触指将通常会错过边缘排除区域，但电镀不受影响。接触环补偿暴露的种晶层区域的制造公差，及接触环接触本身的制造公差。

附图说明

图1是电镀处理器的示意图。

图2是图1中所示的接触环的透视图。

图3是图1和2中所示的接触环的放大截面透视图。

图4是接触环的放大的底部透视细节图。

图5是图2-4中所示的接触指的示意性平面图。

图6是图1的处理器处理重新构造的晶片的图。

图7是图示了接触指装卸位置的平面图。

具体实施方式

如图1中所示，电镀处理器20具有包括转子24的头部22。在头部22中的马达28使转子24旋转，如图1中的箭头R所示。在转子24上或可附接到转子24的环形接触环30与保持在转子24中或转子24上的晶片100电接触。转子24可包括背板26和环形致动器34，环形致动器34用于以图1中的方向T在晶片装载/卸载位置和处理位置之间垂直地移动接触环30。头部22可包括波纹管32，以允许接触环的垂直或轴向移动，同时使内部头部部件与处理液体和蒸气隔离。