[发明专利]在低温和大气压下制造合成锂蒙脱石的方法

权利要求书

1.一种合成锂蒙脱石的制造方法，该制造方法包括下面的步骤：

1)制备包含锂(Li)前体、氟(F)前体和镁(Mg)前体的前体溶液混合物；

2)将碱性催化剂加入到所述前体溶液混合物中并形成Li-Mg沉淀物；以及

3)将硅(Si)前体加入到所述Li-Mg沉淀物中并进行结晶反应，

其中，所述锂前体与所述氟前体的摩尔比为1:1至1:10，

其中，步骤3)所述的结晶反应在70℃至110℃的温度下，1巴至1.21巴的压力下进行10小时至40小时。

2.根据权利要求1所述的合成锂蒙脱石的制造方法，其中，所述碱性催化剂的加入量为使得所述前体溶液混合物的pH为7至10。

3.根据权利要求1所述的合成锂蒙脱石的制造方法，其中，所述硅前体和所述镁前体以2:1至1:1的摩尔比加入。

4.根据权利要求1所述的合成锂蒙脱石的制造方法，其中，在步骤3)所述的结晶反应之前不进行洗涤或过滤步骤。

5.根据权利要求1所述的合成锂蒙脱石的制造方法，其中，所述锂前体是选自氟化锂(LiF)、氢氧化锂(LiOH)、氯化锂(LiCl)、碳酸锂(Li₂CO₃)和硫酸锂(Li₂SO₄)中的一种或更多种。

6.根据权利要求1所述的合成锂蒙脱石的制造方法，其中，所述氟前体是选自氢氟酸(HF)、氟化钠(NaF)、氟硅酸((H₃O)₂[SiF₆])和氟硅酸钠(Na₂[SiF₆])中的一种或者更多种。

7.根据权利要求1所述的合成锂蒙脱石的制造方法，其中，所述镁前体是选自碳酸镁(MgCO₃)、硫酸镁(MgSO₄)、氯化镁(MgCl₂)和氢氧化镁(Mg(OH)₂)中的一种或者更多种。

8.一种合成锂蒙脱石，该合成锂蒙脱石由权利要求1至7中任一项所述的制造方法制造并由下面的式1表示：

[式1]

[Si₈(Mg_aLi_bH_c)O₂₀(OH)_4-yF_y]^z-·zM⁺

在式1中，4.9≤a≤5.7，0＜b≤1.05，0＜c＜2，5＜(a+b+c)＜8，0＜y＜1，z＝12-2a-b-c，以及M是钠(Na)或者锂(Li)。

9.根据权利要求8所述的合成锂蒙脱石，其中，所述合成锂蒙脱石在其2重量％的水溶液中显示出90％以上的透光率。

10.根据权利要求8所述的合成锂蒙脱石，其中，所述合成锂蒙脱石在其2重量％的水溶液中显示出5.4cp至400cp的粘度。