[发明专利]柔性PMUT阵列在审
申请号: | 201780012648.2 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN108701751A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 唐纳德·威廉·基德韦尔;拉温德拉·谢诺伊;乔恩·拉斯特 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L41/09 | 分类号: | H01L41/09;B06B1/06;H01L41/313;H01L41/331 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第二电极 第一电极 配置 路由电信号 机械超声 聚合物层 频率响应 柔性阵列 压电材料 换能器 机械层 平面化 压电层 成对 腔体 压电 图案 支撑 制造 | ||
1.一种形成压电式微机械超声换能器的柔性阵列的方法,其包括:
提供被配置成支撑所述压电式微机械超声换能器PMUT的柔性阵列的载体;
提供被配置成将所述PMUT的柔性阵列粘附到所述载体的释放层;
在所述释放层上方形成所述PMUT的柔性阵列;以及
去除所述释放层以从所述载体分离所述PMUT的柔性阵列。
2.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述PMUT的柔性阵列包括:
对于所述PMUT的柔性阵列中的每一PMUT,
层压被配置成支撑所述PMUT的第一聚合物层;
沉积被配置成图案化所述PMUT的腔体的牺牲材料;
沉积被配置成对所述PMUT提供平面化的机械层;
沉积被配置成耦合到电路接地平面的第一电极;
沉积被配置成分离所述第一电极与第二电极的压电层;
沉积被配置成耦合到信号的所述第二电极;以及
在所述第一电极、压电材料和所述第二电极上产生被配置成路由所述PMUT的控制信号的图案。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述机械层包含被配置成对所述PMUT提供化学机械平面化的平面化层、被配置成对所述PMUT提供刚度和频率响应调整的机械膜,或其某一组合。
4.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:
沉积被配置成囊封所述第一电极、所述压电层和所述第二电极的钝化层;
蚀刻被配置成接取所述第一电极和所述第二电极的接触通孔;以及
沉积被配置成将电信号路由到所述第一电极和所述第二电极的垫片和/或重布层。
5.根据权利要求4所述的方法,其进一步包括:
形成被配置成调整所述PMUT的频率响应的腔体。
6.根据权利要求5所述的方法,其进一步包括:
层压被配置成囊封所述第一电极、所述压电层和所述第二电极的第二聚合物层;
以及
形成被配置成支持通过所述重布层的信号接入的图案通孔。
7.根据权利要求4所述的方法,其进一步包括:
层压被配置成囊封所述第一电极、所述压电层和所述第二电极的第二聚合物层;
形成被配置成支持通过所述重布层的信号接入的图案通孔;以及
从所述载体分离所述PMUT。
8.根据权利要求7所述的方法,其进一步包括:
在所述第一聚合物层中钻取释放通孔;以及
通过使用所述释放通孔去除所述牺牲材料而形成被配置成调整所述PMUT的频率响应的腔体。
9.根据权利要求8所述的方法,其进一步包括:
层压被配置成围封所述腔体的第四聚合物层。
10.根据权利要求4所述的方法,其进一步包括:
层压被配置成囊封所述第一电极、所述压电层和所述第二电极的第二聚合物层;
图案化被配置成接取所述第一电极和所述第二电极的接触通孔;以及
沉积被配置成将电信号路由到所述第一电极和所述第二电极的垫片和/或重布层。
11.根据权利要求10所述的方法,其进一步包括:
形成被配置成调整所述PMUT的频率响应的腔体。
12.根据权利要求11所述的方法,其进一步包括:
形成被配置成调整所述PMUT的频率响应的腔体;
层压被配置成保护所述PMUT的第三聚合物层;以及
形成被配置成支持通过所述重布层的信号接入的图案通孔。
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