[发明专利]三维存储器阵列的独立NAND的冗余阵列

说明书

本公开涉及一种三维存储器阵列的独立NAND的冗余阵列。若干实施例包含三维存储器胞元阵列，其中所述阵列包含多个存储器胞元页，所述多个页的若干页包含独立NAND的冗余阵列RAIN条带的奇偶校验部分，且每一相应页中的所述RAIN条带的所述奇偶校验部分仅包括那个相应页的部分。

技术领域

本发明大体上涉及半导体存储器及方法，且更特定来说，本发明涉及一种三维存储器阵列的独立NAND的冗余阵列。

背景技术

存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体、集成电路、及/或外部可卸除装置。存在许多不同类型的存储器，包含易失性存储器及非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据，且可包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)等。非易失性存储器可在未经供电时保留经存储数据且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)及磁性随机存取存储器(MRAM)等。

存储器装置可组合在一起以形成固态驱动器(SSD)。SSD除了包含各种其它类型的非易失性存储器及易失性存储器之外也可包含非易失性存储器(例如，NAND快闪存储器及/或NOR快闪存储器)，及/或可包含易失性存储器(例如，DRAM及/或SRAM)。SSD可用来取代硬盘驱动器作为计算机的主存储容量，这是因为所述固态驱动器可在性能、大小、重量、耐用性、操作温度范围及功率消耗方面优于硬盘驱动器。例如，SSD可归因于其缺乏移动零件而具有比磁盘驱动器优异的性能，这可避免与磁盘驱动器相关联的搜索时间、延时及其它机电延迟。SSD制造者可使用非易失性快闪存储器来产生可不使用内部电池电源的快闪SSD，从而允许驱动器更具多功能性且更紧凑。

例如用来产生快闪SSD的快闪存储器装置可包含(例如)将数据存储于电荷存储结构(例如，浮动栅极)中的存储器胞元，且可用作用于广泛范围的电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的单晶体管存储器胞元。

可将阵列架构中的存储器胞元编程为目标(例如，所要)状态。例如，可将电荷放置于存储器胞元的电荷存储结构(例如，浮动栅极)上或从其移除以将胞元编程为特定数据状态。存储器胞元的电荷存储结构上的存储电荷可指示所述胞元的阈值电压(Vt)，且可通过感测胞元的存储电荷(例如，Vt)而确定胞元的状态。

例如，可将单电平胞元(SLC)编程为两个不同数据状态的目标状态，其可由二进制单位1或0表示。可将一些快闪存储器胞元编程为两个以上数据状态(例如，1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110及1110)的目标状态。此类胞元可称为多状态存储器胞元、多单位胞元或多电平胞元(MLC)。MLC可提供更高密度存储器而不增加存储器胞元的数目，这是因为每一胞元可表示一个以上数字(例如，一个以上位)。

在快闪存储器装置的操作期间，可发生若干缺陷及/或错误，例如存储器的不同组件之间的电短路。这些缺陷及/或错误可导致存储于存储器中的数据丢失，这可导致存储器的故障。防止此存储器故障(例如，保护存储于存储器中的数据)的一个方法是使用独立NAND的冗余阵列(RAIN)数据保护方案，其可在多个存储器装置之间划分及/或复制存储于存储器中的数据。

附图说明

图1说明根据本发明的若干实施例的三维存储器阵列的部分的透视图。

图2是说明根据本发明的若干实施例的三维存储器阵列的部分与串驱动器之间的连接的示意图。

图3说明根据本发明的若干实施例的三维存储器阵列的实例。

图4A及图4B是说明根据本发明的若干实施例的三维存储器阵列中的数据存储的实例的图表。

图5是根据本发明的若干实施例的运算系统的功能框图，所述运算系统包含呈存储器装置形式的设备。