[发明专利]具有掉电保护的输出驱动

权利要求书

1.一种电子器件，其包含：

p掺杂衬底，其具有水平表面和垂直于所述水平表面延伸的垂直深度；

输出端子；

NPN结构，其沿所述水平表面，所述NPN结构包括：第一n掺杂区，其耦合到所述输出端子；p掺杂区，其围绕所述第一n掺杂区并且耦合到所述输出端子；以及第二n掺杂区，其通过所述p掺杂区与所述第一n掺杂区分离；

浮动引线，其耦合到所述第二n掺杂区；

PNP结构，其沿所述垂直深度，所述PNP结构包括所述p掺杂区、在所述p掺杂区下方的n掺杂层以及所述p掺杂衬底；

第一开关，其耦合在所述p掺杂区和所述输出端子之间；以及

第二开关，其耦合在所述p掺杂区和所述浮动引线之间。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其进一步包含：

金属氧化物半导体晶体管，其具有：在所述第二n掺杂区中的漏极区；在所述第一n掺杂区中的源极区；在所述p掺杂区中并且在所述漏极区和所述源极区之间的沟道区；以及定位在所述沟道区上方的栅极结构。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第一开关和所述第二开关被配置为相反地操作。

4.根据权利要求3所述的电子器件，其中：

当所述电子器件被启动时，所述第一开关被配置为断开而所述第二开关被配置为闭合；并且

当所述电子器件处于三态或被禁用时，所述第一开关被配置为闭合而所述第二开关被配置为断开。

5.根据权利要求3所述的电子器件，其进一步包含：

电压供给端子；以及

第二NPN结构，其沿所述水平表面并邻近所述NPN结构，所述第二NPN结构包括：第三n掺杂区，其耦合到所述浮动引线；第二p掺杂区，其围绕所述第三n掺杂区并且耦合到所述电压供给端子；以及第四n掺杂区，其通过所述第二p掺杂区与所述第三n掺杂区分离，所述第四n掺杂区耦合到所述电压供给端子。

6.根据权利要求5所述的电子器件，其进一步包含：

金属氧化物半导体晶体管，其具有：在所述第三n掺杂区中的漏极区；在所述第四n掺杂区中的源极区；在所述第二p掺杂区中并且在所述漏极区和所述源极区之间的沟道区；以及定位在所述沟道区上方的栅极结构。

7.根据权利要求1所述的电子器件，其进一步包含：

漏极扩展金属氧化物半导体晶体管，其具有：在所述第二n掺杂区中的扩展的漏极区；在所述第一n掺杂区中的源极区；在所述p掺杂区中并且在所述扩展的漏极区和所述源极区之间的沟道区；以及定位在所述沟道区上方的栅极结构。

8.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述p掺杂区包括：定位在所述第一n掺杂区和所述第二n掺杂区之间的p掺杂沟道区；侧向地围绕所述第一n掺杂区和所述第二n掺杂区的p掺杂侧区；以及支撑和连接所述p掺杂沟道区和所述p掺杂侧区的p掺杂掩埋层。

9.根据权利要求1所述的电子器件，其进一步包含：

n掺杂侧壁，其侧向地围绕所述p掺杂区，所述n掺杂侧壁邻接所述n掺杂层。

10.一种集成电路，其包含：

衬底，其具有水平表面；

电压供给端子；

输出端子；

第一晶体管，其包括：第一n掺杂区，其耦合到所述输出端子；第一p掺杂区，其围绕所述第一n掺杂区并且耦合到所述输出端子；以及第二n掺杂区，其通过所述第一p掺杂区与所述第一n掺杂区分离；

第二晶体管，其包括：第三n掺杂区；第二p掺杂区，其围绕所述第三n掺杂区并且耦合到所述电压供给端子；以及第四n掺杂区，其通过所述第二p掺杂区与所述第三n掺杂区分离，所述第四n掺杂区耦合到所述电压供给端子；

浮动引线，其耦合在所述第二n掺杂区和所述第三n掺杂区之间；

第一开关，其耦合在所述第一p掺杂区和所述输出端子之间；以及

第二开关，其耦合在所述第一p掺杂区和所述浮动引线之间。