[发明专利]半导体激光模块及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光模块，其特征在于，具备：

散热器，其具有导电性；

辅助支架，其配置于所述散热器的上方；

半导体激光元件，其配置于所述辅助支架的上方；以及

导电部，其与所述半导体激光元件以及所述散热器电连接，沿着所述辅助支架的表面延伸至所述散热器，并具有比所述辅助支架的电阻率低的电阻率。

2.根据权利要求1所述的半导体激光模块，其特征在于，

所述辅助支架的导热率高于所述导电部的导热率。

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光模块，其特征在于，

所述导电部由从所述半导体激光元件沿着所述辅助支架的表面延伸至所述散热器的上侧焊料层形成。

4.根据权利要求3所述的半导体激光模块，其特征在于，

所述辅助支架的上表面的缘部的至少一部分被实施倒圆或倒角。

5.根据权利要求1或2所述的半导体激光模块，其特征在于，

所述导电部包括：

上侧焊料层，其与所述半导体激光元件电连接；

下侧焊料层，其形成于所述辅助支架与所述散热器之间；以及

镀层，其形成于所述辅助支架的至少侧面，将所述上侧焊料层与所述下侧焊料层电连接。

6.根据权利要求1或2所述的半导体激光模块，其特征在于，

所述导电部包括：

上侧焊料层，其与所述半导体激光元件电连接；以及

辅助导电层，其将所述上侧焊料层与所述散热器电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体激光模块，其特征在于，

所述辅助导电层的熔点低于所述上侧焊料层的熔点。

8.一种半导体激光模块的制造方法，该半导体激光模块具备：具有导电性的散热器；配置于所述散热器的上方的辅助支架；以及配置于所述辅助支架的上方的半导体激光元件，

所述半导体激光模块的制造方法的特征在于，

以从所述半导体激光元件沿着所述辅助支架的表面延伸至所述散热器的方式形成具有比所述辅助支架的电阻率低的电阻率的导电部，从而将所述半导体激光元件与所述散热器电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体激光模块的制造方法，其特征在于，

所述导电部的形成通过如下方式进行，即：

在所述辅助支架上形成与所述半导体激光元件连接的上侧焊料层，

对所述上侧焊料层加热，并将所述半导体激光元件相对于所述辅助支架进行按压，从而使因加热而熔融的所述上侧焊料层流至所述辅助支架的下端。

10.根据权利要求9所述的半导体激光模块的制造方法，其特征在于，

所述上侧焊料层的加热通过加热所述散热器来进行。

11.根据权利要求8或9所述的半导体激光模块的制造方法，其特征在于，

对所述辅助支架的上表面的缘部的至少一部分实施倒圆或者倒角。

12.根据权利要求8所述的半导体激光模块的制造方法，其特征在于，

所述导电部的形成通过如下方式进行，即：

在所述散热器与所述辅助支架之间形成下侧焊料层，

在所述辅助支架的至少侧面形成镀层，

以使所述镀层与所述下侧焊料层电连接的方式将所述辅助支架配置在所述下侧焊料层上，

形成与所述镀层和所述半导体激光元件电连接的上侧焊料层。

13.根据权利要求8所述的半导体激光模块的制造方法，其特征在于，

所述导电部的形成通过如下方式进行，即：

在所述散热器与所述辅助支架之间形成下侧焊料层，

将与所述半导体激光元件电连接的上侧焊料层形成在所述辅助支架上，

形成将所述上侧焊料层与所述散热器电连接的辅助导电层。

14.根据权利要求13所述的半导体激光模块的制造方法，其特征在于，

所述辅助导电层的熔点低于所述上侧焊料层的熔点。