[发明专利]显示面板用基板的制造方法有效
申请号: | 201780013382.3 | 申请日: | 2017-02-17 |
公开(公告)号: | CN108701432B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 齐藤贵翁;神崎庸辅;伊东一笃;金子诚二 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G09F9/00 | 分类号: | G09F9/00;H01L21/336;G02F1/1368;H01L29/786;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚;习冬梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 用基板 制造 方法 | ||
1.一种显示面板用基板的制造方法,其特征在于,包括:
以覆盖栅极绝缘膜及半导体膜二者的形式形成导电膜的导电膜形成工序,其中,所述栅极绝缘膜覆盖在基板上形成的栅极电极及栅极布线,所述半导体膜在所述栅极绝缘膜上形成在与所述栅极电极重叠的位置;
第一抗蚀剂形成工序,其在所述导电膜形成工序之后实行,所述第一抗蚀剂形成工序仿照具有与所述半导体膜连接的源极电极的源极用导电膜及具有与所述半导体膜连接的漏极电极的漏极用导电膜的形状形成第一抗蚀剂;
第一蚀刻工序,其在所述第一抗蚀剂形成工序之后实行,通过以所述第一抗蚀剂为掩膜对所述导电膜进行蚀刻,从而形成所述源极用导电膜及所述漏极用导电膜;
第二抗蚀剂形成工序,其在所述第一蚀刻工序之后实行,形成覆盖所述半导体膜、所述源极用导电膜、所述漏极用导电膜的第二抗蚀剂;以及
第二蚀刻工序,其在所述第二抗蚀剂形成工序之后实行,以所述第二抗蚀剂为掩模,实行可去除所述导电膜的蚀刻,
所述第二蚀刻工序中,实行蚀刻直到所述栅极绝缘膜的一部分被去除为止。
2.如权利要求1所述的显示面板用基板的制造方法,其特征在于,
在所述第二抗蚀剂形成工序中,避开所述栅极绝缘膜上形成的阶梯部中的、跨及所述源极用导电膜和所述漏极用导电膜二者而延伸的延伸部的至少一部分,而形成所述第二抗蚀剂。
3.如权利要求1或2所述的显示面板用基板的制造方法,其特征在于,
在所述第一蚀刻工序中,将所述源极用导电膜及所述漏极用导电膜以沿所述栅极布线的延伸方向排列有多个的形式形成,
在所述第二抗蚀剂形成工序中,避开所述栅极绝缘膜上形成的阶梯部中的、跨及相邻的两个所述源极用导电膜二者而延伸的源极间延伸部的至少一部分,而形成所述第二抗蚀剂。
4.如权利要求1或2所述的显示面板用基板的制造方法,其特征在于,
在所述第一蚀刻工序中,将所述源极用导电膜及所述漏极用导电膜以沿所述栅极布线的延伸方向排列有多个的形式形成,
将以夹着所述漏极用导电膜的形式配置的两个所述源极用导电膜中的、在经由所述半导体膜连接到所述漏极用半导体膜的所述源极用导电膜的相反侧配置的所述源极用导电膜作为相反侧源极用导电膜的情况下,
在所述第二抗蚀剂形成工序中,避开所述栅极绝缘膜上形成的阶梯部中的、跨及所述漏极用导电膜和所述相反侧源极用导电膜二者而延伸的相反侧延伸部的至少一部分,而形成所述第二抗蚀剂。
5.一种显示面板用基板的制造方法,其特征在于,包括:
以覆盖栅极绝缘膜及半导体膜二者的形式形成导电膜的导电膜形成工序,其中,所述栅极绝缘膜覆盖在基板上形成的栅极电极及栅极布线,所述半导体膜在所述栅极绝缘膜上形成在与所述栅极电极重叠的位置;
第一抗蚀剂形成工序,其在所述导电膜形成工序之后实行,所述第一抗蚀剂形成工序仿照具有与所述半导体膜连接的源极电极的源极用导电膜及具有与所述半导体膜连接的漏极电极的漏极用导电膜的形状形成第一抗蚀剂;
第一蚀刻工序,其在所述第一抗蚀剂形成工序之后实行,通过以所述第一抗蚀剂为掩膜对所述导电膜进行蚀刻,从而形成所述源极用导电膜及所述漏极用导电膜;
第二抗蚀剂形成工序,其在所述第一蚀刻工序之后实行,形成覆盖所述栅极绝缘膜、所述半导体膜、所述源极用导电膜、所述漏极用导电膜的第二抗蚀剂,所述第二抗蚀剂避开所述栅极绝缘膜上形成的阶梯部中的、跨及所述源极用导电膜和所述漏极用导电膜两者而延伸的延伸部的至少一部分、跨及相邻的两个所述源极用导电膜两者而延伸的源极间延伸部的至少一部分以及跨及所述漏极用导电膜和与所述漏极用导电膜未经由所述半导体膜连接的一侧的源极用导电膜两者而延伸的相反侧延伸部的至少一部分配置;以及
第二蚀刻工序,其在所述第二抗蚀剂形成工序之后实行,以所述第二抗蚀剂为掩模,实行可去除所述导电膜的蚀刻,
所述第二蚀刻工序中,实行蚀刻直到所述栅极绝缘膜的一部分被去除为止。
6.如权利要求1、2和5中任一项所述的显示面板用基板的制造方法,其特征在于,
所述栅极电极及所述栅极布线包含铝。
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