[发明专利]放射性同位素制造用支撑基板、放射性同位素制造用靶板、以及支撑基板的制造方法

权利要求书

1.一种支撑基板，是对被照射荷电粒子束的靶进行支撑的放射性同位素制造用支撑基板，其特征在于：

具有1个或多个石墨膜，该石墨膜以其膜面与荷电粒子束相交的方式配置；

各石墨膜在膜面方向上的热导率为1200W/(m·K)以上；

各石墨膜的厚度为0.05μm以上且50μm以下，

所述石墨膜中，膜面方向上的热导率为膜厚方向上的热导率的50倍以上。

2.根据权利要求1所述的支撑基板，其特征在于：

所述石墨膜在膜面方向上的电导率为12000S/cm以上。

3.根据权利要求1所述的支撑基板，其特征在于：

所述石墨膜中，膜面方向上的电导率为膜厚方向上的电导率的100倍以上。

4.根据权利要求1所述的支撑基板，其特征在于：

该支撑基板具有由多个所述石墨膜层叠而成的层叠体，且该支撑基板的总体厚度为0.1μm以上且1mm以下。

5.根据权利要求1所述的支撑基板，其特征在于：

所述石墨膜的密度为1.40g/cm³以上且2.26g/cm³以下。

6.根据权利要求1所述的支撑基板，其特征在于：

该支撑基板包含层叠于所述石墨膜的由金属构成的金属板。

7.根据权利要求6所述的支撑基板，其特征在于：

所述金属板具有冷却机构。

8.一种放射性同位素制造用靶板，其具备：

被照射荷电粒子束的靶、以及

对所述靶进行支撑的权利要求1～7中任一项所述的支撑基板。

9.一种权利要求1～7任一项所述的支撑基板的制造方法，是对被照射荷电粒子束的靶进行支撑的放射性同位素制造用支撑基板的制造方法，

该支撑基板的制造方法的特征在于：通过对高分子膜进行煅烧来制作构成所述支撑基板的至少一部分的石墨膜。

10.根据权利要求9所述的支撑基板制造方法，其特征在于：

所述高分子膜的材料为耐热性芳族高分子。

11.根据权利要求10所述的支撑基板制造方法，其特征在于：

所述耐热性芳族高分子为芳族聚酰亚胺。

12.根据权利要求9～11中任一项所述的支撑基板的制造方法，其特征在于：

在不活泼气体中以2400℃以上的温度对所述高分子膜进行煅烧来进行石墨化。