[发明专利]保护膜形成用片、保护膜形成用片的制造方法及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780013457.8 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN108701641B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 山本大辅;米山裕之;小桥力也 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/301;H01L21/60;C09J7/20;C09J201/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护膜 形成 制造 方法 半导体 装置 | ||
1.一种保护膜形成用片，其在支撑片上具备保护膜形成层、且在所述保护膜形成层上具备剥离膜而成，
所述支撑片的与具备所述保护膜形成层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度为0.5μm以下，
基于JIS K7125标准测得的所述支撑片的所述表面和所述剥离膜的与具备所述保护膜形成层的一侧相反侧的表面之间的静摩擦力为2以上且29N以下。
2.根据权利要求1所述的保护膜形成用片，其中，所述支撑片具备基材，且对所述基材的表面实施了利用喷砂处理的凹凸化处理。
3.根据权利要求1所述的保护膜形成用片，其中，所述支撑片是在基材上层叠粘合剂层而成的。
4.根据权利要求2所述的保护膜形成用片，其中，所述支撑片是在所述基材上层叠粘合剂层而成的。
5.根据权利要求3或4所述的保护膜形成用片，其中，所述粘合剂层的厚度为1～100μm。
6.一种保护膜形成用片的制造方法，
所述保护膜形成用片是权利要求1～5中任一项所述的保护膜形成用片，
该方法包括：
形成所述支撑片和所述保护膜形成层的层叠结构的工序，并使得所述支撑片的与具备所述保护膜形成层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度为0.5μm以下；以及
形成所述保护膜形成层和所述剥离膜的层叠结构的工序，并使得基于JIS K7125标准测得的所述支撑片的与具备所述保护膜形成层的一侧相反侧的表面和所述剥离膜的与具备所述保护膜形成层的一侧相反侧的表面之间的静摩擦力为2以上且29N以下。
7.一种半导体装置的制造方法，该方法包括：
从权利要求1～4中任一项所述的保护膜形成用片上去除所述剥离膜，然后将所述保护膜形成层粘贴于半导体晶片的与设置有电路的一面相反侧的背面的工序；
使粘贴于所述半导体晶片后的所述保护膜形成层固化而形成保护膜的工序；
将形成有所述保护膜的半导体晶片切割而形成半导体芯片的工序；
从所述保护膜形成用片的所述支撑片侧对所述半导体芯片照射红外线，从而对所述半导体芯片进行检查的工序；
从所述支撑片上将所述半导体芯片与粘贴于其背面的保护膜一起剥离，从而得到带有保护膜的半导体芯片的工序；以及
将所述带有保护膜的半导体芯片的半导体芯片倒装芯片连接于基板的电路面上的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
