[发明专利]固态摄像元件和电子设备有效
申请号: | 201780013688.9 | 申请日: | 2017-03-01 |
公开(公告)号: | CN108701704B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 水田恭平;丸山卓哉;安藤幸弘 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王新春;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 元件 电子设备 | ||
1.一种固态摄像元件,其由许多像素构成并且包括:
光电转换单元,其针对每个所述像素而形成并被构造成将入射光转换成电荷;
电荷存储单元,其被构造成暂时保存转换的所述电荷;以及
第一遮光单元,其形成在所述像素之间并在基板的厚度方向上具有预定长度,其中,
所述电荷存储单元形成在交叉部分的下方,其中在所述交叉部分处,在纵向上彼此相邻的像素之间形成的所述第一遮光单元与在横向上彼此相邻的像素之间形成的所述第一遮光单元交叉。
2.根据权利要求1所述的固态摄像元件,进一步包括覆盖所述交叉部分的光入射面侧的第二遮光单元。
3.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中,
所述交叉部分形成为圆柱形或多边形柱形。
4.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中,
所述交叉部分形成为圆筒形或多边形管状。
5.根据权利要求4所述的固态摄像元件,其中,
所述电荷存储单元在形成为管状的所述交叉部分的管内沿基板的厚度方向延伸。
6.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中,
所述第一遮光单元和所述交叉部分分别以不同的蚀刻速率形成。
7.根据权利要求2所述的固态摄像元件,进一步包括TG晶体管、AMP晶体管、SEL晶体管、OFG晶体管和RST晶体管,其中,
所述电荷存储单元和所述RST晶体管的源极一体形成。
8.根据权利要求7所述的固态摄像元件,进一步包括构造成抑制复位噪声的FBEN晶体管。
9.根据权利要求7所述的固态摄像元件,其中,
所述AMP晶体管的漏极和所述RST晶体管的漏极共享配线并连接到VDD。
10.根据权利要求2所述的固态摄像元件,进一步包括构造成将针对所述光电转换单元的入射光不规则地反射的蛾眼结构单元。
11.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中,
所述第一遮光单元在相邻像素区域中的在基板的平面方向上的长度彼此不同。
12.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中,
所述第一遮光单元在相邻像素区域中的在基板的厚度方向上的长度彼此不同。
13.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中,
各个像素的所述光电转换单元具有与其相邻的像素的所述光电转换单元不同的体积。
14.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中,
所述像素至少包括:对具有第一波长的光敏感的第一像素,对比所述第一波长更长的第二波长敏感的第二像素,以及对比所述第二波长更长的第三波长敏感的第三像素。
15.根据权利要求14所述的固态摄像元件,其中,
在所述第一或第二像素与所述第三像素之间形成的所述第一遮光单元在所述第三像素的区域中的在基板的平面方向上的长度大于在所述第一或第二像素的区域中的在基板的平面方向上的长度。
16.根据权利要求14所述的固态摄像元件,其中,
在所述第一或第二像素与所述第三像素之间形成的所述第一遮光单元在所述第三像素的区域中的在基板的厚度方向上的长度大于在所述第一或第二像素的区域中的在基板的厚度方向上的长度。
17.根据权利要求14所述的固态摄像元件,其中,
所述第三像素的所述光电转换单元具有比所述第一或第二像素的所述光电转换单元更小的体积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的