[发明专利]RC-IGBT及其制造方法

说明书

本发明提供具有晶体管部和二极管部的RC‑IGBT。所述RC‑IGBT具有晶体管部；二极管部；还具备：半导体基板；第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板的上表面侧；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的源区，其设置于基区的上方；以及2个以上的沟槽部，其以从源区的上端侧贯穿源区和基区的方式设置，二极管部具备：源区；接触沟槽，其在2个以上的沟槽部中的相邻的2个沟槽部之间设置于半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的接触层，其设置于接触沟槽的下方，且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高。

技术领域

本发明涉及RC-IGBT及其制造方法。

背景技术

以往，为了抽出沟槽间的空穴，已知有设置高浓度的P型层的方法(例如参照专利文献1)。另外，已知在具有晶体管部和二极管部的RC-IGBT中，在二极管部设置减少空穴从阳极的注入的高浓度的N型层(例如参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2013-065724号公报

专利文献2：日本特开2015-135954号公报

发明内容

技术问题

然而，在现有的半导体装置中，无法充分降低二极管部的反向恢复特性。

技术方案

在本发明的第一方式中，可以提供一种RC-IGBT，其具备：晶体管部；二极管部；半导体基板；第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板的上表面侧；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的源区，其设置于基区的上方；以及2个以上的沟槽部，其以从源区的上端侧贯穿源区和基区的方式设置。二极管部可以具备：源区；接触沟槽，其在2个以上的沟槽部中的相邻的2个沟槽部之间设置于半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的接触层，其设置于接触沟槽的下方，且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高。

接触层的下端可以比源区的下端浅。

源区可以在二极管部中与接触沟槽接触。

晶体管部可以具备：接触沟槽，其在2个以上的沟槽部中的相邻的2个沟槽部之间设置于半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的接触层，其设置于晶体管部的接触沟槽的下方，且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高。二极管部的接触沟槽的宽度可以比晶体管部的接触沟槽的宽度窄。

二极管部的接触沟槽的深宽比可以高于晶体管部的接触沟槽的深宽比。

二极管部的接触沟槽的下端可以比晶体管部的接触沟槽的下端深。

二极管部的接触层的下端可以比晶体管部的接触层的下端浅。

二极管部的接触层中的掺杂浓度的峰的个数可以比晶体管部的接触层中的掺杂浓度的峰的个数少。

二极管部的接触层的掺杂浓度可以比晶体管部的接触层的掺杂浓度低。

RC-IGBT还可以具备：第一导电型的第一积累区，其掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；第一导电型的第二积累区，其形成得比第一积累区深，且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高。另外，第一积累区和第二积累区可以形成于晶体管部。

第一积累区和第二积累区还可以形成于二极管部。

在本发明的第二方式中，可以提供一种RC-IGBT的制造方法，其是具有晶体管部和二极管部的RC-IGBT的制造方法，所述RC-IGBT的制造方法包括：在半导体基板的上表面侧形成第一导电型的漂移区、第二导电型的基区、第一导电型的源区以及贯穿源区和基区的2个以上的沟槽部的步骤；在二极管部中，在2个沟槽部之间的靠半导体基板的上表面侧的部位形成接触沟槽的步骤；以及在二极管部中，在接触沟槽的下方形成掺杂浓度比基区的掺杂浓度高的第二导电型的接触层的步骤。