[发明专利]用于在薄绝缘体上碳化硅(SiCOI)晶片上形成微带传输线的方法和结构有效
| 申请号： | 201780013798.5 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108701648B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | J·R·拉罗什;K·P·叶;T·E·卡齐奥 | 申请（专利权）人： | 雷声公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/683;H01P3/08;H01P11/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李隆涛 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 绝缘体 碳化硅 sicoi 晶片 形成 微带 传输线 方法 结构 | ||
1.一种用于在薄III-V族晶片上形成微带传输线的方法，包括：
(A)提供结构，所述结构具有：碳化硅层；结合结构；以及硅层，所述结合结构在所述碳化硅层与所述硅层之间设置，所述硅层比所述碳化硅层更厚；以及，III-V族层在所述碳化硅层的上表面上设置；
(B)在所述III-V族层中形成III-V族器件并且带导体连接至所述器件；
(C)去除硅层以及所述结合结构，以暴露碳化硅层的底表面；以及
(D)在所述碳化硅层的暴露的底表面上形成接地面导体，以与所述带导体和所述接地面导体一起提供微带传输线。
2.一种用于在薄III-V族晶片上形成微带传输线的方法，包括：
提供结构，所述结构具有：(A)碳化硅层以及附着在碳化硅层上的第一二氧化硅层；以及(B)硅层以及附着在所述硅层上的第二二氧化硅层；其中，所述第一二氧化硅层和所述第二二氧化硅层提供结合结构；
将所述第一二氧化硅层结合至所述第二二氧化硅层；
在所述碳化硅层的上表面上生长III-V族层；
在所述III-V族层中形成有源器件，一起有连接至所形成的器件的带导体；
相继地去除所述硅层和所述第一二氧化硅层和第二二氧化硅层，以暴露所述碳化硅层的底表面；以及
在所述碳化硅层的暴露的底表面上形成接地面导体，所述带导体、所述接地面导体和所述碳化硅层的一部分提供微带传输线的一部分。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述III-V族层之前，所述结构的所述碳化硅层的上表面被抛光，以减小所述碳化硅层的厚度。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述碳化硅层的底表面被抛光以减小其厚度之前，III-V族层在所述碳化硅层的上表面上形成。
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