[发明专利]固态成像器件和电子装置

权利要求书

1.一种背照式固态成像器件，其包括至少：

半导体基板；

有机光电转换膜，其形成于所述半导体基板的一表面侧上；

光波导，其形成于所述半导体基板和所述有机光电转换膜之间；以及

第一绝缘膜，其形成于所述半导体基板和所述有机光电转换膜之间，并且从所述有机光电转换膜朝向所述半导体基板在垂直方向上延伸超过所述光波导的长度。

2.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，包括：

下电极，其设于所述有机光电转换膜下方；以及

贯通电极，其贯穿所述半导体基板，以将通过所述有机光电转换膜的光电转换而转换的电荷传输到所述半导体基板的另一表面侧，

其中，所述下电极和所述贯通电极连接。

3.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，包括：

下电极，其设于所述有机光电转换膜下方；

贯通电极，其贯穿所述半导体基板，以将通过所述有机光电转换膜的光电转换而转换的电荷传输到所述半导体基板的另一表面侧；以及

至少一个配线层，其连接所述下电极和所述贯通电极。

4.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，其中，

所述半导体基板包括第一光电二极管，并且

未被所述有机光电转换膜转换成电荷的至少一部分入射光被所述第一光电二极管转换成电荷。

5.根据权利要求4所述的背照式固态成像器件，其中，

所述半导体基板包括第二光电二极管，并且

所述第二光电二极管设于所述第一光电二极管和所述半导体基板的另一表面之间，并且未被所述有机光电转换膜和所述第一光电二极管转换成电荷的至少一部分入射光被所述第二光电二极管转换成电荷。

6.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，其中，

所述光波导和所述第一绝缘膜被垂直地分离开。

7.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，其中，

所述光波导具有比所述第一绝缘膜高的折射率。

8.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，其中，

所述光波导包含SiN，并且具有1.8至2.1的折射率，并且

所述第一绝缘膜包含SiO，并且具有1.3至1.5的折射率。

9.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，其中，

所述光波导包括低介电常数材料。

10.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，其中，

所述背照式固态成像器件为垂直分光成像器件，并且垂直分光层的数量为两层或三层。

11.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，其中，

从所述半导体基板到所述有机光电转换膜的厚度为1μm以下。

12.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，其中，

所述光波导包括有机膜。

13.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，还包括：

第二绝缘膜，其形成于所述光波导下方。

14.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，还包括：

低介电常数材料层，其形成于所述光波导下方。

15.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，还包括：

内透镜，其形成于所述有机光电转换膜和所述光波导之间。