[发明专利]限流电路在审
申请号: | 201780014049.4 | 申请日: | 2017-12-26 |
公开(公告)号: | CN110199464A | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 李卫平;严伟加;廖文建;张新 | 申请(专利权)人: | 雅达电子国际有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华;何月华 |
地址: | 中国香*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电感器 控制电路 限流电路 晶体管 电源 控制端子 联接 晶体管导通 晶体管断开 电流路径 负载电容 限定参数 阈值时 电容 感测 充电 配置 | ||
一种用于控制从电源到具有电容的负载的电流的限流电路包括电感器、在电流路径中与所述电感器联接的晶体管、和控制电路。所述晶体管包括控制端子。所述控制电路被联接以感测所述电感器两端的电压且联接到所述晶体管的控制端子。所述控制电路被配置成在所述电感器两端的电压大于阈值时使所述晶体管断开以限制来自电源的电流、以及在满足限定参数时使所述晶体管导通以允许来自所述电源的电流为负载电容充电。还公开了其它示例性限流电路。
技术领域
本发明涉及限流电路。
背景技术
本部分提供关于本发明的背景信息,该背景信息不一定为现有技术。
电源(例如开关模式电源)向负载提供电力。有时,当电源接通(例如激活)时,该负载联接到电源的输出端。这通常被称为热插拔或热交换。在这类情况下,该负载可以经历短路状况,这导致电源的输出电流增大。有时,使用限流电路来限制电源的输出电流。通常将该限流电路放在负载侧(例如,在负载板的输入端口处、在负载电容器的输出侧等)。
例如,图1示出了现有技术的系统100,该系统100包括电源和负载102,该负载102在连接器处被热插入电源中。电源由电压(PS_V)表示。如所示的,负载102包括传统限流电路104、负载电阻器RA3和负载电容器CA2。限流电路104包括感测电阻器RA1、晶体管QA1、电容器CA1、电阻器RA2和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)QA2。当通过感测电阻器RA1的电流达到阈值时,晶体管QA1导通,允许电容器CA1放电。反过来,MOSFET QA2关断以防止电流传递到负载电阻器RA3和负载电容器CA2。
图2示出了另一个现有技术的系统200,该系统200包括电源(电压PS_V)和负载202,该负载202在连接器处被热插入电源中。负载202包括传统限流电路204、负载电阻器RB2和负载电容器CB2。如所示的,限流电路204包括二极管DB、电容器CB1、电阻器RB1和MOSFET QB。当将负载202热插入电源中时,电容器CB1未被充电且MOSFET QB关断。当电流开始流动时,电容器CB1充电,导致MOSFET QB的栅极-源极电压增大。因此,MOSFET QB导通。传统限流电路204仅在上电状况期间且在电容器CB1未被充电时才激活。
发明内容
本部分提供本发明的总体概述,且不是本发明的全部范围或本发明的所有特征的全面公开。
根据本发明的一个方面,公开了一种用于控制从电源到具有电容的负载的电流的限流电路。所述限流电路包括电感器、在电流路径中与所述电感器联接的晶体管、和控制电路。所述晶体管包括控制端子。所述控制电路被联接以感测所述电感器两端的电压且联接到所述晶体管的控制端子。所述控制电路被配置成在所述电感器两端的电压大于阈值时使所述晶体管断开以限制来自电源的电流、以及在满足限定参数时使所述晶体管导通以允许来自所述电源的电流为负载电容充电。还公开了其它示例性限流电路。
从本文中提供的描述,其它方面和应用领域将变得明显。应当理解,本发明的各个方面可以单独地或与一个或多个其它方面组合实现。还应当理解,本文中的描述和具体示例意图仅用于说明性目的且不意图限制本发明的范围。
附图说明
本文中所描述的附图仅出于所选实施方式的说明性目的,而非所有可能的实现方式,且不意图限制本发明的范围。
图1示出了根据现有技术的包括感测电阻器的热插拔式电路。
图2示出了根据现有技术的另一个热插拔式电路。
图3为根据本发明的一个示例性实施方式的具有电感器和在电流路径中与该电感器联接的晶体管的限流电路的示意性框图。
图4为根据另一示例性实施方式的包括限流电路的电源的示意性框图。
图5为根据又一示例性实施方式的包括限流电路的负载的示意性框图。
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